窄带半导体敏化TiO2光催化剂及宽带隙氧化物与氢氧化物要点.pptVIP

窄带半导体敏化 TiO2光佳化剂 及找物 宽带隙氧化 物和氢氧化  导带的最低点和价带的最高点的 带隙 能量之差。 带隙大于2ev的扌能叫宽带隙,硅和锗的带隙 2宽窄都是小于2属于带的,像氧化锌的带 隙是3.3ev,这扌是宽带隙的牛导体 ●把不易反应的物质用某种试剂浸泡,然后 3敏化 就容易发生反应了的过程。一般用易与后 面的所用试剂发生反应的试剂。  目录 1研究背景 2. MVO4TiO2( M=La, In and Bi) 3.PZT/TiO2 PS/TiO2 1.Ga203 In(oH)3 InOOH 2.InGeo 3.NgA.o  窄带半导体敏化Ti02光佳化剂 研究背景 6目前,由于Ti02具有高效、无毒、价廉等优点,被认为是 在污染治理方面具有较好市场应用前景的半导体光催化剂 6但Ti02光催化剂也存在很多不足,如对太阳能利用率低, Ti02禁带宽度较宽,从而限制了其实际应用。研究发现 将禁带宽度小于Ti02的半导体与其复合,是拓宽吸收带边 的一种有效方法。  窄带半导体敏化Ti02光佳化剂 MVO4/Ti02(M=In La and Bi) N P2 ZT/Ti02 PS/Ti02  MVO/Tio, M=La, In and Bi 6近些年,作为一种窄带半导体,Lavo4/To2由于具有