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MOS 器件及其集成电路的可靠性与失效分析 （提要） 作者： Xie M. X. (UESTC ，成都市 ) 影响 MOS 器件及其集成电路可靠性的因素很多，有设计方面的，如材料、器件和工艺 等的选取；有工艺方面的，如物理、化学等工艺的不稳定性；也有使用方面的，如电、热、 机械等的应力和水汽等的侵入等。 从器件和工艺方面来考虑，影响 MOS 集成电路可靠性的主要因素有三个：一是栅极氧 化层性能退化；二是热电子效应；三是电极布线的退化。 由于器件和电路存在有一定失效的可能性， 所以为了保证器件和电路能够正常工作一定 的年限（例如， 对于集成电路一般要求在 10 年以上），在出厂前就需要进行所谓 可靠性评估 ， 即事先预测出器件或者 IC 的寿命或者失效率。 （1）可靠性评估： 对于各种元器件进行可靠性评估， 实际上也就是根据检测到的元器件失效的数据来估算 出元器件的有效使用寿命——能够正常工作的平均时间（ MTTF ，mean time to failure ）的一 种处理过程。 因为对于元器件通过可靠性试验而获得的失效数据，往往遵从某种规律的分布，因此 根据这些数据，由一定的分布规律出发，即可估算出 MTTF 和失效率。 比较符合实际情况、使用最广泛的分布规律有两种，即对数正态分布和 Weibull 分布。 ①对数正态分布： 若一个随机变量 x 的对数服从正态分布， 则该随机变量 x 就服从对数正态分布； 对数正 态分布的概率密度函数为 1 (ln x f (x) e x 2 ) 2 / 2 2 / 2 2 该分布函数的形式如图 1 所示。 对数正态分布是对数为正态分布的任 意随机变量的概率分布； 如果 x 是正态分布 的随机变量，则 exp(x)为对数分布；同样， 如果 y 是对数正态分布， 则 log(y) 为正态分 布。 ②Weibull 分布： 由于 Weibull 分布是根据最弱环节模型 或串联模型得到的， 能充分反映材料缺陷和 应力集中源对材料疲劳寿命的影响， 而且具 有递增的失效率， 所以， 将它作为材料或零 图 1 对数正态分布 件的寿命分布模型或给定寿命下的疲劳强 度模型是合适的； 而且尤其适用于机电类产品的磨损累计失效的分布形式。 由于它可以根据 失效概率密度来容易地推断出其分布参数， 故被广泛地应用于各种寿命试验的数据处理。 与 对数正态分布相比， Weibull 分布具有更大的适用性。 Weibull 分布的失效概率密度函数为 f (t) mt m m t e (t / m ) 相应的累积失效分布函数为 m (t / ) F (t) 1 e 式中的 m 为分布的形状参数， 为分布的尺寸参数。 Weibull 分布的形式如图 2 所示，在 m ＜１时为倒 J 字型曲線，在 m=1 时为指数式分布，在 1＜m＜3.6 时为偏向左边的曲线，在 m≈3.6 时为正态分布曲线，在 m＞3.6 时为偏向右边的曲线。 在这种失效分布的模式下，元器件的失效率 (t)和 MTTF 可分别表示为 (t) d ln R(t dt ) f (t R(t ) ) 1 1 F (t) MTTF R(t ) dt t f (t) dt 0 0 失效率 (t)的常用单位是 FIT （10 9/小时）或者 %/1000 小时。 由于引起器件和集成电路失效的机理不 同，因此就相应地存在各不相同的 MTTF 和失 效率数据。最容易导致失效的就是其中 MTTF 最短的那一种机理。 （2）栅氧化层的性能退化： MOSFET 的栅极二氧化硅薄膜是决定器件 性能的关键性材料。因为二氧化硅薄膜具有良 好的绝缘性，同时它与 Si 表面接触的表面态密 度又很低，所以最常用作为栅绝缘层。 栅氧化层一般是采用热氧化来制备的，良 图 2 Weibull 分布 好氧化层的漏电流基本上为 0，并且具有较高的 击穿电场强度（击穿电场强度约为 10MV/cm ）。但是，实际上发现，在器件和电路工作时， 有时会发生由于栅氧化层的漏电、 并导致击穿而引起的失效； 产生这种后果的根本原因就是 氧化层在电压作用下性能发生了退化。 ①栅氧化层退化的表现～击穿： 在栅极电压作用下， 栅氧化层发生退化的主要表现就是击穿。 这里存在两种类型的击穿： 一是 瞬时击穿 （TZDB ，Tims Zero Dielectic Breakdown ），即是加上电压后就马上发生的击穿 ——短路；二是 经时击穿 （TDDB ，Tims Dependent Dielectic Breakdown ），即是加上电压后 需要经过一段时间之后才发生的击穿。 MOSFET 和 MOS-IC 的早期失效往往就包括有栅氧化层的 TZDB 现象。 TDDB 的产生与栅氧化层中的电场（～栅电压）有关。实验表明，按