晶体生长方法综述.pptVIP

晶体生长方法 溶液生长 熔体生长 气相生长 固相生长 溶液法生长晶体 溶液和溶解度 溶液——由两种或两种以上物质所组成的均匀混合体系称为溶液。 一定量溶液中含有溶质的量称为溶液的浓度。 几种表示方式： 1、体积摩尔浓度（mol):一升溶液中所含溶质的摩尔数 2、重量摩尔浓度（mol): 1000g溶剂中所含溶质的摩尔数 3、摩尔分数（x):溶质摩尔数对溶液总摩尔数之比 4、重量百分数：100g（或1000g）溶液中所含溶质的克数 5、重量比：100g（或是1000g）溶剂中所含溶质的克数 溶液法生长晶体 溶解度——在一定温度和压力下，一定量的溶剂候中能溶解溶质的量叫溶解度。 固体溶解度一般以一定温度下100g溶剂中能溶解溶质的量。溶解度大小与温度有密切关系。 根据溶解度曲线选择生长方法，溶解度温度系数很大时，可采用降温法（如磷酸铝铵）；若溶解度温度系数小，则采用蒸发法（如氯化钠） 溶液法生长晶体 饱和与过饱和 溶解与结晶是可逆的两个过程即 固态溶质 溶液中溶质 当溶解速率等于结晶速率时，溶解与结晶处于平衡，此时溶液称为饱和溶液。溶液的饱和状态与温度有密切关系。 溶液中溶质含量超过饱和溶液的含量时，这类溶液称为过饱和溶液。过饱和溶液时不稳定的。 过饱和状态是溶液生长的先决条件，只有过饱和溶液才能形成晶核并逐渐长大。 溶液法生长晶体 溶液法生长晶体 降温法 适用于生长溶解度温度系数较大并具有一定温度区间的晶体。 这一温度区间也是有限制的：温度上限由于蒸发量大而不宜过高，当温度下限太低时对晶体生长也不利。 一般来说，比较适合的气势温度是50—60℃，降温区间以15—20℃为宜。 这种生长方法的物质的溶解度温度系数最好不低于1.5g/1000g溶液·℃ 溶液法生长晶体 关键：在整个生长过程中，掌握合适的降温速度，使溶液始终处于亚稳过饱和，并维持合适的过饱和度，使晶体正常生长。 谢谢 * * 晶体生长方法 溶液法：方法简单，生长速度慢，晶体应力小，均匀性好 降温法 恒温蒸发法 循环流动法 温差水热法 熔体法：生长速度快，晶体的纯度及完整性高 凝固析晶法 坩埚下降法 提拉法 泡生法 浮区法 焰熔法 助熔剂法 导模法 气相法：生长速度慢，晶体纯度高、完整性好，宜于薄膜生长 升华法 反应法 热解法 固相法：主要靠固体材料中的扩散使非晶或多晶转变为单晶，由于扩散速度小，不宜于生长大块晶体 高压法、再结晶法 溶解 结晶 溶液分成稳定区、不稳定区和亚温区。稳定区是不饱和区，在这个区域里晶体不能生长。亚温区是过饱和区，在这里不发生自发结晶，若有外来颗粒（包括籽晶）投入，晶体就围绕它生长。不稳定区也是过饱和区，不过它的过饱和度比亚温区大，会自发结晶。 溶液生长的过程必需控制在亚温区内进行，若在不稳定区内生长就会出现多晶。 原理：利用晶体物质较大的正溶解度温度系数，将在一定温度下配制的饱和溶液，于封闭的状态下保持溶剂总量不变，而逐渐降低温度，使溶液成为过饱和溶液，析出的溶质不断结晶在籽晶上。 适宜于降温法生长的几种材料 优点： 晶体可在远低于其熔点的温度下生长。有许多晶体不到熔点就分解或发生不希望有的晶型转变，有的在熔化时有很高的蒸汽压（高温下某种组分的挥发将使熔体偏离所需要的成分）。在低温下使晶体生长的热源和生长容器也较易选择。 降低粘度。有些晶体在熔化状态时粘度很大，冷却时不能形成晶体而成为玻璃。溶液法采用低粘度的溶剂可避免这一问题。 容易长成大块的、均匀性良好的晶体，且有较完整的外形。 在多数情况下，可直接观察晶体生长过程，便于对晶体生长动力学的研究。 缺点：组分多，影响晶体生长的因素比较复杂，生长速度慢，周期长（一般需要数十天乃至一年以上）；对控温精度要求高（经验表明，为培养高质量的晶体，温度波动一般不易超过百分之几，甚至是千分之几度。 恒温蒸发法 在一定的温度和压力条件下，靠溶剂的不断蒸发，使溶液达到过饱和状态，以析出晶体。这种方法适合于生长溶解度较大而溶解度温度系数又很小的物质。 关键：需要仔细控制蒸发量，使溶液始终处于亚稳过饱和，并维持一定的过饱和度，使析出的溶质不断在籽晶上长成单晶－由于温度保持恒定，晶体的应力较小。 适宜于蒸发法生长的几种材料 温差水热法 利用温度差产生过饱和溶液的一种方法。利用溶剂在