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辐射度学的基本物理量 辐射通量Φe:单位时间内通过一定面积发射、传播或接受的辐 射能量Q,又称辐射功率Pe,是辐射能的时间变 化率。单位:瓦[W]定义式? 辐射强度le:点辐射源在给定方向上通过单位立体角内的辐射通 量。单位W/Sr] 辐射亮度Le:面辐射源单位投影面积定向发射的辐射强度。 单位:[W/m2.Sr] 辐射出射度Me:扩展辐射源单位辐射面所辐射的通量(也称辐 射本领)。单位:[Wm2] 辐射照度Ee:单位受照面上接受的辐射通量。单位[Wm2] 光度学的基本物理量 光通量Φv:单位时间内通过一定面积发射、传播或接受的光 能量,又称光功率PM,是光能的时间变化率。单 位:流明[Im 发光强度v:点辐射源在给定方向上通过单位立体角内的光通量。 单位cd] 光亮度Lv:辐射表面定向发射的光强度。单位:[cd/m2] 光出射度Mv:面光源单位面积所辐射的光通量(也称发光本 领)。单位:[mm2] 光照度Ev:投射在单位面积上的光通量。单位[X] 基本辐射度量的名称、符号和定义方程 光度学名称符号定义方程辐射度学中的符号 的单位 单位 Lms或辐射能 0 焦耳 J Lm. h 辐射通量Φ 瓦特 播射功率P@= do dt 辐射强度1I=西/dQ瓦特/球面度wsr1 Cdm2辐射亮度L2-22s瓦特/球面度Wm2 d tacos 平方米 Lmm2辐射出射度MM=d!瓦特/平方米Wm2 辐射照度EE=/L 瓦特/平方米Wm2 1、两者的相同点:①光度量和辐射度量的定义、定义方程是 对应的 ②辐射度量和光度量都是波长的函数。 2、两者的不同点:④符号不同:辐射度量下标为e,例如Qe, Φe,le,Me,Ee,光度量下标为v,Qv, Φv,Iv,Lv,Mv,Ev。 ②单位不同(略) ③研究范围不同,光度量只在可见光区 (380 780nm)才有意义 晴天阳光直射地面照度约为100000X 晴天背阴处照度约为10000X 晴天室内北窗附近照度约为2000X 晴天室内中央照度约为200|X 晴天室内角落照度约为20|X 阴天室外50-500X 阴天室内5-50X 月光(满月)2500|X 日光灯5000X 电视机荧光屏100X 阅读书刊时所需的照度50~60X 在40W白炽灯下1m远处的照度约为30x 晴朗月夜照度约为02|x 黑夜0.001X 其它基本概念——见P5 1、点源 2、扩展源(朗伯源、余弦辐射体) 3、漫反射面(散射面) 4、定向辐射体(激光) 导体、半导体和绝缘体 半导体的特性D 半导体的能带结构——见P8 本征半导体与杂质半导体D 平衡和非平衡载流子D 载流子的输运过程□ 半导体的光吸收效应D 返回 自然存在的各种物质,分为气体、液体、固 体 2、固体按导电能力可分为:导体、绝缘体和介 于两者之间的半导体 3、电阻率106~103欧姆厘米范围内——导体 电阻率1012欧姆厘米以上一—绝缘体 电阻率介于导体和绝缘体之间——半导体 1、半导体电阻温度系数一般是负的,而且对温度变化非 常敏感。根据这一特性,可制成热电探测器件 2、导电性受极微量杂质的影响而发生十分显著的变化。 (纯净S在室温下电导率为5×106/(欧姆厘米)。掺入硅 原子数百万分之一的杂质时,电导率为2/(欧姆厘米) 3、半导体导电能力及性质受光、电、磁等作用的影响。 1、本征半导体就是没有杂质和缺陷的半导体。 2、在绝对零度时,几乎不导电。 3、在纯净的半导体中掺入一定的杂质,可以显著地控 制半导体的导电性质。 4、掺入的杂质可以分为施主杂质和受主杂质 5、施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子, 同时向导带提供电子,使半导体成为电子导电的n型半 导体。—见P1o 6、受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子, 同时向价带提供空穴,使半导体成为空穴导电的p型半 导体。 见P10