半导体材料制备技术(一)（汇总）.pptVIP

2、布里奇曼法的特点 装置和方法都比较简单，典型的正常凝固过程 晶锭截面形状与石英舟相同 导致舟壁对生长材料的严重玷污 存在高密度的晶格缺陷 （热膨胀系数不同，热应力） 水平布里奇曼法产生的热应力低于立式（熔体的开放面较大） 3、适用范围：硒化镉、碲化镉和硫化锌等II-VI族化合物-立式布里奇曼 砷化镓和磷化镓等在凝固时体积要膨胀的III-V族化合物材料-水平布里奇曼法生长 .......... * 3.1.2．直拉法（Czochralski，简称CZ） 1、原理 2、特点 晶体生长过程是在液面之上进行的，不受容器的限制，克服了应力导致晶体缺陷的缺点，污染减轻。 保温与坩锅材料对晶体玷污 氧、碳含量 偏高 拉制大直径的单晶体 3、适用范围：硅单晶和锗单晶，砷化镓等化合物单晶 高压液封直拉法。选用B2O3作为液封剂石墨或BN坩锅。 .......... * .......... * 3.1.3 区熔法（Floating zone, 简称FZ） 1、原理 2、特点 无坩锅也无石墨加热器和碳毡保温系统 以多晶棒为原料 易与材料的区熔提纯结合 常用于生长纯度要求比直拉单晶高的高阻晶体 生长大直径晶体困难较大（6”） 3、适用范围：硅单晶的制备，也同样适合于砷化镓等其他半导体 .......... * .......... * 3.1.4 升华法PVT 1、原理 基本过程是