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非晶硅薄膜及其制备方法研究进展 摘要：氢化非晶硅（ a-Si:H ）薄膜在薄膜太阳能电池、薄膜晶体管、辐射探测和液晶显示等 领域有着重要的应用， 因而在世界范围内得到了广泛的关注和大量的研究。 本文主要介绍了 a-Si:H 薄膜的主要掺杂类型和 a-Si:H 薄膜的主要制备方法。 关键词：非晶硅薄膜；掺杂；制备方法；研究进展 Research Progress on a-Si:H Thin Films and Related Preparation Method Abstract: Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film has attracted considerable attention and been a subject of extensive studies worldwide on account of its important applications such as thin film solar cells, thin film transistors, radiation detectors, and liquid crystal displays based on its good electrical and optical properties. In this paper, the progress research on a-Si:H thin films and related preparation method are reviewed. Key words: a-Si:H thin films; doped; preparation method; research progress 1 引言 氢化非晶硅 (a-Si:H) 是硅和氢的一种合金， 网络中 Si-H 键角和键长的各种分布打乱了晶 体硅晶格的长程有序性，从而使非晶硅具有独特的光电性质。本征 a-Si:H 薄膜中，一般含 有 8% ~12% （原子分数）的氢，本征的 a-Si 材料的带隙宽度 Eg 约为 1.7eV[1-3] 。 1976 年，美国 RCA 实验室 Carlson 和 Wronski 首次报道了非晶硅薄膜太阳电池 [4] ，引 起普遍关注，全世界开始了非晶硅电池的研制热潮。一般在太阳能光谱可见光波长范围内， 非晶硅的吸收系数比晶体硅大将近一个数量级，其本征吸收系数高达 105cm-1 。而且非晶硅 太阳能电池的光谱响应的峰值与太阳能光谱峰值接近， 这就是非晶硅材料首先被用于太阳能 电池的原因。首先非晶硅材料高的吸收系数，非晶硅吸收层的厚度可以小于 1 μm就可以充 分的吸收太阳能， 这个厚度不及单晶硅电池厚度的 1%，可以明显的节省昂贵的半导体材料； 其次硅基薄膜电池采用低温沉积工艺技术 （200℃左右），这不仅可节能降耗， 而且便于采用 玻璃、 塑料等廉价衬底； 最后硅基薄膜采用气体的辉光放电分解沉积而成， 通过改变反应气 体组分可方便地生长各种硅基薄膜材料， 实现 pin 和各种叠层结构的电池， 节省了许多工序， 非晶硅薄膜的这些优点都很大程度上促进了非晶硅太阳能电池的开发与研究 [5-7] 。 但是，非晶硅材料自身存在一些问题， 由于薄膜内部存在大量的缺陷态 (主要是悬挂键 )， 非晶硅材料在实际应用上受到了限制， 与晶体硅太阳能电池相比， 无论是材料理论、 器件研 究、工艺水平仍处于研究积累阶段， 许多性质还有待于深入认识。 非晶硅薄膜太阳能