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第1章半导体器件 1.1半导体器件的基本知识 1.2半导体二极管 1.3半导体三极管 1.4场效应管 1.1半导体器件的基本知识 1.1.1本征半导体及其导电性 1.1.2杂质半导体 1.1.3半导体中载流子运动和温度特性 根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导 体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为103~109g2cm。典型的半导 体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 1.1.1本征半导体及其导电性 (1)本征半导体的共价键结构 (2)电子空穴对 (3)空穴的移动 本征半导体—化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到 999999%,常称为“九个9”。 它在物理结构上呈单晶体形态。 (1)本征半导体的共价键结构 硅和锗是四价元素,在原子最外层轨道上的 四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原 子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这 些原子所共有,并为它们所束缚,在空间形成排 列有序的晶体。 这种结构的立体和平面示意图见图01.01。 (a)硅晶体的空间排列(b)共价键结构平面示意图 图01.01硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 (2)电子空穴对 导体处于热力学温度0K时,导体中没 有自由电子。当温度升高或受到光的照射 时,价电子能量增高,有的价电子可以挣 脱原子核的束缚,而参与导电,成为自由 电子。 这一现象称为本征激发,也称热激发。 自由电子产生的同时,在其原来的共价 键中就出现了一个空位,原子的电中性被破 坏,呈现出正电性,其正电量与电子的负电 量相等,人们常称呈现正电性的这个空位为 空穴。 激发 电子 复合 图01.02本征激发和复合的过程 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是 同时成对出现的,称为电子空穴对。游离的部 分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合, 如图01.02所示。本征激发和复合在一定温度下 会达到动态平衡。 (3)空穴的移动 自由电子的定向运动形成了电子电流,空 穴的定向运动也可形成空穴电流,它们的方 向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键 中的价电子依次充填空穴来实现的。 1.1.2杂质半导体 (1)N型半导体 (2)P型半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作 为杂质,可使半导体的导电性发生显著变 化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 (1)N型半导体 共价键 多子。 在本征半导体中掺 成N型半导体,也称电于硅原子核 因五价杂质原子中电子 导体原子中的价电子形 图01.04N型半导体结构示意图 因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自庄 杂质原子提供;空穴是 共价键 多子。 提供自由电子的五 正离子,因此五价杂质丿硅原子核 体的结构示意图如图01.电子 (2)P型半导体 在本征半导体中掺共价键 多子 形成了P型半导体,也O 因三价杂质原子者娃原子核 价电子而在共价键中留空穴 图01.05P型半导体的结构示意图 P型- 1掺杂形成; 共价键 多子 发形成。 空 1负离子 价杂质原子核 结构示意图 如图01.空穴 图01.05P型半导体的结构示意图