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GD Solar 薄膜太阳能电池生产流程及工艺 国电太阳能(江苏)有限公司  培训内容 GD Solar 非晶硅薄膜电池生产流程 模组生产流程 各主要生产机台的基本工艺、水电气、原材料和基本参数 2013-10-29  目录 GD Solar 太阳能电池基本原理(PN结1) 太阳能电池基本原理(PN结2) 太阳能电池基本原理(光电效应) 薄膜太阳能电池生产流水线总图 薄膜太阳能电池生产流程图 薄膜太阳能电池结构 薄膜太阳能电池结构(续) 薄膜太阳能电池电路图 溥膜太阳能电池的连接 薄膜太阳能电池生产流程(E01-E03 薄膜太阳能电池生产流程(E04EO7 薄膜太阳能电池生产流程E08E11 薄膜太阳能电池生产流程(12-E15) 薄膜太阳能电池生产流程16E18 懑膜太阳能电池生产流程19-E23 2013-10-29  阳能电池基本原理(PN结1) GD Solar (Si)o(si)aosi)◎ o( Si)oo(si )oo(si a Si)oo( Si ) oo(Si )o 自由电子 shoo( b oo( D(siao(si oo(si a o( si oof si oo si a 硅原子的共 硅中掺杂P形成电子 硅中掺杂B形成空穴 价健结构 (N型) (P型 ◆PN结是太阳能电池的基础。PN结的基本材料是半导体 ◆半导体:介于导体和绝缘体之间,如si、P、B、Ga 电子 空穴 ◆晶体:原子的排列具有长程周期性和旋转对称性(单晶、多晶); 非晶体:原子无序排列,没有旋转对称性,但短程有序 ◆N型半导体:Si中掺杂5价的P,P作为施主杂质能够提供自由移动的电子,电子是多数载流子。 P型半导体:Si中掺杂3价的B,B作为受主杂质,产生空穴,能够接受电子,空穴是多数载流子 2013-10-29  太阳能电池基本原理(PN结2) GD Solar P区(掺B) N区(掺P) ◆PN结的形成 把P型半导体和N型半导体结合起来 物质总是从浓度高的地方向浓度低的 地方扩散。P区和N区的多数载流子由 于浓度差向对方扩散。扩散的结果在P (动态平衡)即 区一侧留下带负电的离子,在N区一侧 留下带正电的离子,这就形成了一层很 薄的空间电荷区,又称耗尽层和PN结 由耗尽层产生的内电场一方面阻止多 子的继续扩散,另一方面又促使少数载 流子向对方漂移,当扩散和漂移相等时 耗尽层/PN结 PN结处于动态平衡 ◆PN:I层能增加耗尽层的厚度,减少a-Sl 上:蹰[8 正离子 缺限。增加载流子的寿命,提高光电转换效 负离子 2013-10-29  能电池基本原理(光电效应) GD Solar 原子能级 原子能带 ◆能级:原子中电子的的运动状态分不 导带同的能级,原子核外围的电子受原子核 作用弱,能量坐标上能量愈高,反之原 子核内围的电子能量愈低。 7三价带◆低能吸的电子吸收一定能量的光子后 会跃迁到高能吸 ◆半导体的能带结构: 研究固体内部电子运动 力物子 力学方法 料的结构由多条能带组成。能带分为价 Front electrode 带、导带和禁带,导带和价带间的空隙 称为禁带宽度(Eg)。半导体的禁带宽 度Eg很窄(0.3-4eV),当光照能量hvE 时,可激发电子从价带跃迁到导带中去 N 同时在价带中形成空穴。电子和空穴总 是成对出现 Back electrode ◆在内电场的作用下,带负电的电子逆 向内电场向N区移动,带正电的空穴顺 O空穴 内电场向P区移动。 电子 ◆薄膜太阳能电池在光照后,从P区前电 极流出正电,从N区背电极流出负电 2013-10-29  膜太阳能电池生产流水线总图 GD Solar PECVD MOCVD EDGE ID MARKERMOCVD P1 化学沉积化学沉积 SPUTTER P4 DELETIO 身份标识化学沉积划线 溅射镀(AL)划线4边缘喷沙 (TCp) (H) (Zno 除边 EDCE INITIAL DI WET GRINDER CLEANER CLEARER 磨边 初次清洗 纯水清洗 划线2 划线3 CLERNER PROCESS FLOW 纯水清洗 产品流 2013-10-29  薄膜太阳能电池生产流程图 GD Solar Glass ID marking Edge Clearer PECVD(PIN) 叫 DI Cleaner 重oCYD〔TCo) 器UBnt IOCYD(ZnO) Sputter (Al)