第二章 晶体结构缺陷-材料结构与性能-习题-2009.pdfVIP

第二章 晶体结构缺陷 一、选择题 1、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下 点缺陷中属于本征缺陷的是（ ）。 A ：弗仑克尔缺陷 B ：肖特基缺陷 C：杂质缺陷 D：A+B 2 、热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度（ ）。 A ：增加 B ：降低 C：不变 D：A 或 B 3、MgO 晶体中弗林克尔缺陷的生成能为2.8ev ，在 1600℃时，热缺陷浓度为( ) 23 -19 波尔兹曼常数k=1.38×10 ，1ev=1.602×10 J ）。 -9 -9 A ：8×10 B ：1×10 -20 -3 C：5×10 D：2×10 4 、柏格斯矢量（Burgers Vector ）与位错线垂直的位错称为( ) ，其符号表示 为( )。 A ：刃位错；⊥ B ：刃位错；VX C：螺位错； D ：刃位错； 5、柏格斯矢量（Burgers Vector ）与位错线平行的位错是（ ），其符号表示为 （ ）。 A: 螺位错； B: 螺位错；┰ C: 刃位错； D: 刃位错； 6、非化学计量氧化物中的缺陷浓度可受__________ 的影响。 A: 温度 B: 压力 C: 气氛 D: A+B+C 7 、MgO 晶体中肖特基缺陷的生成能为 6ev ，在 25 ℃时，热缺陷浓度为( ) 23 -19 （波尔兹曼常数k=1.38×10 ，1ev=1.602×10 J ）。 -20 -9 A ：5×10 B：8×10 -51 -40 C：1.92×10 D：2×10 8. CaF2 弗伦克尔缺陷的生成能为 2.8ev ，在 1600℃时，热缺陷浓度为（ ）。 -23; -19 （波尔兹曼常数k=1.38 10 1ev=1.602 10 J ） -6 -4 A: 1.8×10 B: 1.7×10 -2 -8 C: 2.0×10 D: 1.5×10 9、TiO2 是还原气氛下烧结时形成常见的（ ）的半导体材料，其烧结体色泽