功能陶瓷复习题解答.pdfVIP

1、 举 出 3 种 以 上 的 典 型 的 超 导 陶 瓷 ( 氧 化 物 超 导 体 ) ， 定 义 及 其 应 用 。 LaBaCuo 、SrBaCuo、NbBaCuo ； 2、说明Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ电容器陶瓷的典型材料、性能特点和用途 。I 类陶瓷主要用于高频电路中使用的 陶瓷电容器。性能特点 a: 一般具有负温度系数，有时为正温度系数； b: 介电常数较高为飞铁电电容 陶瓷； c: 温度系数值稳定且高频下及高温时具有低的介质损耗。典型材料： MgTiO3 瓷。 II 类陶瓷主 要用于制造低频电路中使用的陶瓷电容器。性能特点： a: 介电常数值高（ 4000-8000 ） b: 温度稳定性 好； c: 居里点在工作温度范围内且能方便的调整。典型材料： BaTiO3 系、反铁电系。 III 类陶瓷介 质的半导体主要用于制造汽车、电子计算机等电路中要求体积非常小的电容器，性能特点 a: 介电常 数非常大 7000- 几十万以上 b: 主要用于低频下 典型材料：半导化 BaTiO3 3、何为铁电陶瓷 BaTiO 3 铁电陶瓷老化的含义是什么？ 是一类在某一温度范围内具有自发极化且极 化强度随电场反向而反向，具有与铁磁回线相仿的电滞回线的陶瓷材料 老化意义：铁电陶瓷烧成后其介电常数和介电损耗随时间的推移而逐渐减少 4、BaTiO 3 陶瓷有哪几种晶型相变？画出 BaTiO 3 陶瓷的介电常数 -温度特性曲线示意图。 立方相、四 方相、斜方相和三方相； 5、何谓移峰效应和压峰效应？ 改性加入物可以有效的移动居里温度，即移动介电常数的居里峰，但 对介电常数的陡度一般不呈现明显的压抑作用，这时所引起的效应为移峰效应；有的改性加入物可使 介电常数的居里峰受到压抑并展宽所引起的效应为压峰效应。 6、为什么 BaTiO 3 陶瓷最适合做低频电容器介质？ 由于频率 f 升高，ε降低， Tan δ升高性能恶化， 所以要在低频下使用由于新畴的成核与生长需要一定的时间内，所以ε和 f 有关。损耗产生的原因 是： 1、电畴运动：畴壁运动是克服杂质、气孔、晶界的摩擦阻力； 2 、自发极化反转时。伴随着集合 形变的换向，必须克服晶胞间与晶粒间应力作用的反复过程。都要消耗电场能，并以热的形式相空间 散逸。反转愈剧烈，次数愈频繁，则 Tan δ愈大。 7、BaTiO 3，PbTiO 3 ，SrTiO 3 为什么具有铁电性？ 它们为什么具有不同的居里温度？其居里点分 别是多少？ BaTiO 3 ，PbTiO 3 ，SrTiO 3 具有铁电性的原因：这三种化合物都属于钙钛矿结构。由 A 与 O 离子共同作立方密堆积， B 离子处于 O 八面体中心，所有 [BO6] 八面体共顶点联结，当温度低于 Tc 时， B 离子偏离八面体中心而产生离子位移极化，从而使 B －O 线上的 O2 －离子产生电子位移极化， 互相耦合，使内电场 Ei ↑→[BO6]八面体沿 B －O 线方向伸长，另外两方向收缩，带动相邻 [BO6] 八面 体在相同方向极化 → 电畴。 2 ）Tc 是自发极化稳定程度的量度。 Tc 反映了 B4 ＋偏离氧八面体中心后 的稳定程度高低， B －O 间互作用能较大，需要较大的热运动能才能使 B 离子恢复到对称平衡位置， 从而摧毁晶体的铁电性（铁电相 →顺电相），因此 Tc 高。反之亦然。 3）120、490 、— 250 。 8、对 BaTiO 3 电容器的要求如何？ 在使用温度范围内，具有尽可能高的介电常数，尽可能低的介电常 数变化率或容量变化率，尽可能高的 Ej ，尽可能低的 tg δ ，介电常数随交直流电场的变化尽可能小 和尽可能小的老