集成电路制造工艺属化和多层互连资料.ppt

集成电路制造技术 第九章金属化与多层互连 西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2013年9月 第九章金属化与多层互连 金属化:金属及金属性材料在|C中的应用 金属化材料分类:(按功能划分) ① MOSFET栅电极材料一M0SFET器件的组成部分; ②互连材料一将各个独立的元件连接成为具有 定功能的电路模块。 ③接触材料一直接与半导体材料接触的材料, 以及提供与外部相连的接触点。 互连材料- Interconnection 互连在金属化工艺中占有主要地位 A1Cu合金最为常用 W塞(80s和90s) Ti:焊接层 TiN:阻挡、黏附层 ≯未来互连金属一—Cu Diusion CMOS标准金属化 互连:A|-cu合金 接触孔与通孔:金属W(Ti/TiN) Ti/TiN:焊接层、阻挡层、防反射层 ■电极材料:金属硅化物,如TiSi2 TI/TiN TiN, ARC TiSi, Metal l al. BPSG P-Well N-Well epI P-wafer 1集成电路对金属化的基本要求 1.形成低阻欧姆接触; 2.提供低阻互连线; 3.抗电迁移; 4.良好的附着性; 5.耐腐蚀; 6.易于淀积和刻蚀; 7.易键合; 8.层与层之间绝缘要好。 9.2金属化材料及应用 n常用金属材料: Al、Cu、P、Au、W、M等 常用的金属性材料: 1)掺杂的poly-si; 2)金属硅化物-PtSi、coSi2、Wsi2、TiSi2; 3)金属合金一A|Si、AuCu、CuPt、TiB2、SiGe、 zrB2、Tic、MoG、TiN 9.2金属化材料及应用 、多晶硅 栅和局部互连, 70s中期后代替A作为栅极, 一高温稳定性:满足注入后退火的要求,A|不能自对准 一重摻杂,LPVD淀积 2、硅化物 电阻率比多晶硅更低, 常用Tisi2,Wsi2和coSi2 9.2金属化材料及应用 2、硅化物 Titanium Silicide annealing Titanium wet deposition striping 自对准形成硅化钛 9.2金属化材料及应用 3、铝(Al) 最常用的金属 导电性第四好的金属 铝2.65μQ-cm 金2.2μQ-cm 银1.6μQ-cm 铜1.7μQ-cm 1970s中期以前用作栅电极金属 9.2金属化材料及应用 4、钛Ti:硅化钛、氮化钛 Ti/TiN的作用: 1)阻挡层:防止W扩散 Al-Cu 2)粘合层:帮助w与Si02 表面粘合在一起 PSG 3)防反射涂层ARc (Anti-reflection coating),防止反射提 TiS 高光刻分辨率