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集成电路工艺实验  目录 1、实验一: CMOS IC单片集成工艺与方法 2、实验二:测量晶体管9014的β值和BVce ■3、实验三:数字电路功能测量 4、实验四:Led进行集成电路的设计  实验一 CMOS IO单片集成工艺与方法 实验教学目的 ■1、完成铝栅 CMOS IO整个工艺流程的实 验操作,制作出铝栅 CMOS IC实验芯片; 2、利用探针台和图示仪,对自己制作的 铝栅 CMOS IO芯片进行检测。  CMOS IO的基本工艺步骤 CMOS IO集成电路的五个基本工艺步骤是: 氧化层生长、光刻、掺杂(热扩散或离子 注入)、淀积(蒸发)和刻蚀等步骤。  MOS IO制造的工艺步骤 (一)氧化层生长 生长S○2薄膜的方法有多种,如热氧化、 阳极氧化、化学气相淀积等。其中以热氧 化和化学气相淀积(CⅤD)最为常用 热氧化生成SO2薄膜是将硅片放入高温 (1000~1200°C)的氧化炉内然后通入氧 气,在氧化环境中使硅表面发生氧化,生成 SO2薄膜。  MOS IO制造的工艺步骤 光刻 (1)涂胶 2)前烘 3)曝光 (4)显影 5坚膜 (腐蚀 ■()去胶  MOS IO制造的工艺步骤 三)掺杂工艺 ■集成电路生产过程中要对半导体基片的 定区域掺入一定浓度的杂质元素,形成不 同类型的半导体层,来制作各种器件。  MOS IO制造的工艺步骤 四)淀积掩膜层 ■经过扩散或离子注入后,必须在硅表面做 层膜,这个过程就是淀积。制备掩膜的 方法很多,多采用化学气相淀积技术  MOS IO制造的工艺步骤 (五)刻蚀即腐蚀) 刻蚀是利用化学或物理的办法有选择的去 除不需要材料的工艺过程。刻蚀的要求取 决于要制作的特征图形的类型,特征尺寸 的缩小使刻蚀工艺中对尺寸的控制要求更 格。  铝栅 CMOS IC制造工艺流程 号 工序名 工艺要求 硅片准备 3N型100,电阻率3~62cm,数量:3片,划标记A1~A3 次氧化 清洗程序A,干氧氧化,tox=200mm-300mm 光刻P阱区、刻蚀 湿法腐蚀,不去胶 准P阱区硼注入(外 注入能量:80KEV,注入剂量:2.0E13 P阱推进及氧化 1200℃干氧氧化,时间5小时,tox=300mm~500mm,R□= 25009/口,X=4.0m 光刻PMOS管源漏区、刻蚀 PMos管源漏区硼预扩散 清洗程序A,950℃,30分钟源 8PMoS管源漏区硼再扩散(氧化)清洗程序B,950℃干湿干tox=250n~350nm 光刻NMOS管源漏区、刻蚀 清洗程序E NMOS管源漏区磷扩散 扩散前清洗程序A,950℃,30分钟源扩散后清洗程序B 11 光刻栅孔、刻蚀 清洗程序E 栅氧化 清洗程序A950℃干氧氧化,tox=40mm-60mm 光刻接触孔、刻蚀 清洗程序E 蒸发铝 清洗程序C,tA=0.5m~1opm 光刻铝电极、刻蚀铝 清洗程序E 片测试 0.3V--3.0v,Vn=0.3V-30V,Bvds10V