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模拟电子技术(第四版)童诗白
课后习题答案
第一章半导体基础知识
自测题
一、 (1)v (2)X (3)v (4 )X ( 5)v (6 )X
二、 (1) A (2) C (3) C (4) B ( 5) AC
三、 Uoi ?1.3V Uo2= 0 Uo3~— 1.3V Uo4~ 2V U°5~ 2.3V U°6~— 2V
四、 Uo1 = 6V Uo2= 5V
Uce= 20V 时 Ic= 10mA ,五、 根据 PCM= 200mW 可得:Ucef= 40V 时 IC= 5mA, UCE= 30V 时 lC~ 6.67mA , U
Uce= 20V 时 Ic= 10mA ,
六、 1、
V BB - U BE
Rb
lc「Ib 二 2.6mA
U ce = Vcc _ l c Rc = 2V
Uo= Uce= 2 V。
2、临界饱和时 Uces= Ube= 0.7V,所以
Vcc
Vcc - Uces
一 ——=2.86mA
Rc
上二28.6讥
Rb
Vbb -Ube : 45.4k.
也t 指数关系,当
也t 指数关系,当
..t
七、T1 :恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。
习题
1.1 (1) A C (2) A ( 3) C (4) A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成 端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和Uo的波形如图所示。
1.4 ui和Uo的波形如图所示。
1.5Uo的波形如图所示。
1.5
Uo的波形如图所示。
Id=( V— Ud) /R= 2.6mA, g~ Ut/Id= 10 Q , ld= Ui/rD^ 1mA。
(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得 0.7V和6V等两种稳压值。
Izm = Pzm/ Uz= 25mA, R= Uz/Idz= 0.24 ?1.2k Q。
(1 )当Ul = 10V时,若Uo= Uz= 6V,则稳压管的电流为 4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压 管未击穿。故
R
Uo L Ul 3.33V
R Rl
当Ui= 15V时,由于上述同样的原因, Uo= 5V。
当 Ui = 35V 时,Uo= Uz= 5V。
(2) l DZ = (U i -UZ).;R=29mA Izm= 25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10 (1) S 闭合。
(2) Rmin =(V -Ud). I Dm ax 233 门,Rmax =(V —Ud). I Dmin 二 700门
1.11波形如图所示。
u I
u I N
60 C 时 Icbo~ 32 卩 A。
选用3 = 100、Icbo= 10 A的管子,其温度稳定性好。
1.14
(a)
(a)
1 BQ VBB -U BEQRb二
1 BQ
VBB -U BEQ
Rb
二 60^A ,
1 CQ = - 1 BQ 二 3mA , uo - Vcc - 1 cq 住=9V
当Vbb= 3V时,T处于饱和状态。因为
Vbb —U beq 门
1 bq 160卩 A , 1 c^ = ■ |bq = 8mA, Uo 二 Vcc cqRcV u be
Rb
1.17取Uces= Ube,若管子饱和,则
[畑 如=Vcc 止,Rb = 1 Rc,所以-电=100管子饱和。
Rb Rc Rc
1.18当ui = 0时,晶体管截止,稳压管击穿, Uo=— Uz=— 5V。
当ui= — 5V时,晶体管饱和,uO= 0.1V。因为
AvV 口
吕号
T1
T2
T3
T4
T5
T6
上
e
c
e
b
c
b
中
b
b
b
e
e
e
下
c
e
c
c
b
c
管型
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
材料
Si
Si
Si
Ge
Ge
Ge
1.16 当 Vbb= 0 时,T 截止,Uo= 12V。
当Vbb= 1V时,T处于放大状态。因为
U| -Ube =480M
U| -Ube =480M
Rb
円lB =24mA
U EC =Vcc - I C Rc Vcc
1.19 (a)可能 (b)可能 (c)不能 (d)不能,T会损坏。 (e)可能
1.20根据方程
i D - 1 DSS(1
UGS )
U GS(th)
Ugd= Ugs (off)逐点求出确定的U
Ugd= Ugs (off)
1.21
?\ ? JO
?Jq 创?JE
1.22过uds为某一确定值(如 15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的 iD值;建立iD= f ( Ugs)
坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。
ui = 4V时T夹断,Ui= 8V时T工作在恒流区,
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