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第 第 PAGE # 页，共31页 第 第 PAGE # 页，共31页 1 ?当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的 B 。 载流子浓度增大 C多数载流子浓度减小 2.某只硅稳压管的稳定电压 [ B D Vz = 4v ， ] 少数载流子浓度增大 少数载流子浓度减小 其两端施加的电压分别为 +5v （正向偏置）和一5v （反向 偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为 D 。[ A +5v 和-5v B -5v 和 +4v C +4v 和-0.7v D +0.7V 和-4v 3.根据某只晶体管的各极对地电压分别是 Vb = -6.3v , Ve =-7v , Vc = -4v , 管，处于 B 。 [ A NPN管，饱和区 B PNP 管， 放大区 C PNP管，截止区 D NPN 管， 放大区 4.场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的 B 。 [ ] 可以判定此晶体管是 击穿区 5. 截止区 D A 非饱和区 B 饱和区 C 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是: 共发射极电路的 共集电极电路的 共基极电路的 共发射极电路的Av最大、Av最小、Av 共发射极电路的 共集电极电路的 共基极电路的 共发射极电路的 Av最大、 Av最小、 Av最小、 Av最小、 R最小、 R最大、 R最小、 R最大、 A B C D 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 A 电阻阻值有误差 B C晶体管参数受温度影响 D 7?差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 A 6. Ro最小 Ro最小 Ro最大 Ro最大 旦 C 抑制共模信号； B C放大共模信号； D 组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 电压放大倍数高 C输出电阻增大 O 晶体管参数的分散性 受输入信号变化的影响 A ，而提高共模抑制比? 抑制差模信号； 既抑制共模信号又抑制差模信号； D 输出电流小 带负载能力强 TOC \o 1-5 \h \z 集成运放电路的实质是一个 B 的多级放大电路。 [] A 阻容耦合式 B 直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有 放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 _B 。[] A耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 11 ?在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D. ，则说明引入的是负反馈。 [] A 电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大D净输入量减小 12、 共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 _B 的特点以获得较高增益。 [ : A直流电阻大、交流电阻小 B 直流电阻小、交流电阻大 C直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大 13、 在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数 必须满足_D 才能起振。 [ ] A A v = 1 B A v = 3 14、迟滞比较器有2个门限电压，出状态将发生 A 次跃变。 A 1 B 2 C 3 C A v v 3 D A v 3 因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，其输 [ : 15 .当我们想要放大频率为 10kHz以上的信号时，应采用 A 低通 B 高通 C16.串联型稳压电源正常工作的条件是 D 。 A V I = V O + VCES C V I 丰 V O + V CES B 带阻 D 带通 :其调整管必须工作于放大状态，即必须满足 [ : I V Vo + Vces I Vo + Vces 滤波器。[] 2.理想二极管构成的电路如题 2图所示, 则输出电压 Uo为(B ) B B. +5V -5V C. +10V D . +15V 3.测得电路中某晶体三极管 (锗管)各管脚的电位, 如题 3图所示，则可判定该管处在 (C)，上图 B B .饱和状态 A .放大状态 C. 截止状态 D .不确定状态 4. 测得某放大状态的晶体三极管，各管脚的电位如题 4图所示，则可判定该管为(B ) PNP PNP型管，①是e极 PNP型管，③是e极 NPN型管，①是e极 D . NPN型管，②是e极 0 0 第3 页，共31页 0 0 第3 页，共31页 TTt Itt kffi 5.下列基本放大电路中，有电压放大作用无电流放大作用的是 （C ） A ?共射极放大电路 B ?共集电极放大电路 C.共基极放大电路 D.共源极放大电路 住 6?为了使输出电阻降低，在放大电路中应引入交流 （C ） A ?串联负反馈 B ?并联负反馈 C.电压负反馈 C.电压负反馈 在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻 A.减少 B.增大 C.保持不变 D.大小不变，符号改变 在单