多晶磁性块材电导率晶粒尺寸效应及巨磁阻效应.docVIP

多晶磁性块材电导率晶粒尺寸效应及巨磁阻效应 罗威，朱林利，郑晓静 兰州大学力学系，甘肃兰州（730000） E-mail: HYPERLINK mailto:luow06@lzu.cn luow06@lzu.cn 摘 要：针对多晶磁性块体材料电导率的尺寸效应，通过 Boltzmann 方程并虑及电子自旋相 关的晶界散射讨论了多晶磁性块材电子在晶粒内部的分布及在磁场下的输运性质.考虑晶界散 射的主要作用,将晶界散射作为电子输运的边界条件，研究了电导率和晶粒尺寸的关系，给出 了电导率的定量表达式.同时考虑在外加磁场的作用下晶粒间的磁化强度的相对方向发生转变 引起电子自旋方向的变化，表现出明显的磁阻效应.计算结果表明：随着晶粒尺寸的减小块材 电导率显著下降;在晶粒尺寸较小时表现出明显的巨磁阻效应. 关键词：电导率；自旋；电子平均自由程；磁化强度；巨磁阻效应；晶粒尺寸 1. 引言 多晶材料相比较于单晶材料存在着更加优异的电学、磁学、光学以及力学等特性从而引 起众多学者的关注.多晶材料随着晶粒尺寸的减小晶界对电子的散射增强，使得材料的电导率 表现出明显的尺寸效应.电导率尺寸效应的研究始于对金属薄膜或导线的电导率随着膜厚或导 线直径的变化规律的讨论,通过分别考虑表面效应和晶界效应建立能够解释电导率尺寸效应的 FS 和 MS 模型[1-3].随着结构尺寸的低维化,低维材料电导率的尺寸效应更加明显,使得材料的 电导率将远小于相应的块材值[4-7].由于块体热电材料在大热荷载中的重要应用[8],对于块材 电导率尺寸效应的研究具有重要的意义.多晶块材电导率的尺寸效应不同于膜材和线材，是由 于内部微结构组成即晶粒细化导致.文[9,10]实验研究表明块材的电导率随着晶粒尺寸的减小 而显著的减小,当晶粒尺寸达到纳米尺度时尺寸效应更为明显.由于 FS 和 MS 模型都是对于膜 材和线材电导率尺寸效应的描述，对于块材而言从研究薄膜晶界效应的 MS 模型出发虽然可 以定性说明块材中由于晶界散射引起的电导率尺寸效应，但理论的这种借用是不严谨的和有 争议的[11-13]．从晶粒内部电子的输运过程入手，可以解释块材的晶粒电导率尺寸效应，已 有的工作却少有真正从材料的晶粒角度来探讨电导率的尺寸效应． 多晶磁性块材在外磁场作用下的性质也鲜有人进行研究. 近年，学者们对多层磁性复合材 料、纳米超晶格材料和Mn、Gd、Sr等化合物以及其它材料的巨磁阻效应进行了大量的实验和 理论研究.实验方面, S.N.Gordeev[14]等对DyFe2/YFe2超晶格进行实验研究指出其中交换弹簧 引起的巨磁阻效应与Levy和Zhang[23]的理论很好的吻合．A.Lebon等[15]对SrFeO3-δ单晶的电 子和磁性质进行了实验研究，发现自旋-电荷有序与电子输运行为有密切的关系并观测到了正 的和负的巨磁阻效应；J.Wu等[16]通过小角度中子散射实验揭示了天然掺杂钙钛矿的辉钴矿 La1_xSrxCoO3晶粒间的巨磁阻现象，并指出这种材料表现出的巨磁阻效应不需要预先引入化学 界面；S.Y.Yu等[17]和K.Koyama等[18]分别通过实验研究了Ni50Mn50?xIn 单晶合金马氏相变时和 在强磁场诱导下锰铝铜强磁合金Ni50Mn36Sn14磁相变过程中的大的磁阻效应；J.H.Miao等[19]在 La0.67Ca0.33MnO3(LCMO) /xCuO (x=20%)和K. Sengupta[20]在Gd的几种化合物Gd2Co2Al、Gd2Co2Ga 和Gd7Rh3化合物中观测到巨磁阻效应.理论方面，文[21,22]和[23,24]分别从半经典的 Boltzmann模型和量子力学模型出发对多层磁性薄膜结构中的巨磁阻现象进行了模拟,较好的 拟和了实验结果．A.S.Nú?ez[25]等对反铁磁性金属中自旋扭转和巨磁阻效应从理论上进行了研 究,指出电流对磁微结构产生了影响,而磁微结构的改变引起了电阻的变化．L.Udvardi[26]等从 缺省的Korringa-Kohn-Rostoker形式出发，利用一般的微扰方法计算了在螺旋磁性块体MnAu2 为基体的合金中竞争交换作用，导致阈场的减小，保证了较大复值得据磁阻效应．但对于块 材而言，巨磁阻效应的相关理论研究甚少,晶粒尺寸对它的影响更是少有论及.我们通过建立虑 及电子自旋以描述多晶材料电导率晶粒尺寸效应的理论模型,并考虑磁场对块晶磁性材料内部 电子输运性质的影响，从而讨论了块材中的磁致电阻效应. 本文基于 Boltzmann 输运方程,从晶粒内部导电电子输运角度研究块材中由晶界散射效应 引起的电导率尺寸效应.由于块材晶界散射效应明显且各向异性,直接考虑众多晶粒间的散射 十分复杂，将此反映在各晶粒内的边界上，即将晶界散射处理成边