华中科技大学光电信号处理 1 1绪论.pptVIP

光子探测器的特点： ● 是一种波长选择性探测器， 要产生光子效应，光子的能量要超过某一确定 的值，即光子的波长要短于长波限。 波长长于长波限的入射辐射不能产生所需的光 子效应，因而也就不能被探测出来。 另一方面．波长短于长波限的入射辐射， 当功率一定时，波长愈短，光子数就愈少。因此 理论上光子探测器的响应率应与波长成正比 。 ● 速度高 二．热探测器 ● 热探测器对光辐射的响应和光子探测器不 同。它基于材料吸收了光辐射能量以后温 度升高的现象，即光热效应。 ● 光热效应的特点： 入射光辐射与物质中的晶格相互作用，晶 格因吸收光能而增加振动能量，这又引起 物质的温度上升，从而导致与温度有关的 材料的某些物理性质的变化。 ● 热电探测器的简单模型： ● 与光电效应有本质的不同，光热效应与入 射辐射的单个光子的能量没有直接关系。 因此，热效应一般与波长无关，即光电 信号取决于入射辐射功率而与入射辐射的 光谱成份无关， 即热探测器对光辐射的响应无波长选择性 ● 光热效应可以产生： 温差电效应 电阻率变化效应 自发极化强度的变化效应等 ● 利用这些效应可制作各种热探测器。 1 热电偶和热电堆 （测辐射） ● 当由两种不同材料制成的两个结点出现温 差时，在该两点间就有电动势产生，通过 这两点的闭合回路中就有电流流过，这个 现象称为温差电效应。 ● 温差电效应包括塞贝克效应、珀耳帖效应 和汤姆逊效应。 塞贝克 (seebeck) 效应： ? 当由两种不同的导体或半导体组成闭合回路的 两个结点置于不同温度 ( 两结点间的温差为 Δ T) 时．在两点之间就产生一个电动势； ? 这个电动势在闭合回路中引起连续电流，这种 现象称为塞贝克效应。 ? 其中产生的电动势称为温差电动势或塞贝克电 动势， ? 上述回路称为热电偶。 ? 产生塞贝克电动势的原因：是由于受热不均匀 的两结点的接触电位差不同所致。 ? 热电偶和热电堆的原理性结构如图所示 多个热电偶串联起来即成为热电堆。 接收辐射一端称为热端，另一端称为冷端。 测辐射热电堆： ? 测辐射热电堆：为了增加信号电压 ? 工艺：在衬底上蒸上一层金属膜，然后 再蒸上第二种材科与第一层膜部分重叠， 从而形成若干接触点。 ? 缺点：输出电信号比许多光子探测器弱 ? 优点：不需要电偏置和致冷， ? 应用广泛。 2 测辐射热计 (Bolometer) ● 原理：当吸收光辐射而温度升高时， 金属的电阻会增加， 半导体材料的电阻会降低。 电阻温度效应 ● 从材料电阻变化可测定被吸收的光辐射功率， 利用材料的电阻变化制成的热探测器 测辐射热计 测辐射热计结构示意图： 红外热像仪 ● 材料的电阻与温度的关系可用材料的电阻温 度系数 α T 来表征。 ● 实验研究发现： 材料温度从 T 改变到了 T+ Δ T ，材料的阻值改 变量 Δ R 只与材料的阻值 R 及温度改变量 Δ T 成正比，即： Δ R= α T R Δ T 当 Δ T 足够小时，则有： dR = α T RdT 由此得到： α T = dT dR R 1 ● 电阻温度系数 α T 与材料的种类和温度有关， 是描述测辐射热器材料的电阻值对温度变化 灵敏程度的基本参数。 ● 当温度变化时， α T 值越大，其电阻阻值变化就越大； α T 值越小，其电阻阻值变化就越小 ● 在室温下，金属材料的 α T 约为 0.0033 ， 半导体材料的 α T 值约为 - 0.033 ； 比金属材料的 α T 值大一个数量级。 3 热释电探测器 —— 热释电效应 ● 某些晶体 ( 如硫酸三甘肽 — TGS 、铌酸锂 — LiNbO 3 、铌 酸锶钡 — SBN 等晶体 ) 受光照射时温度升高，从而在晶 体的特定方向上由于自发极化强度随温度变化而引起 表面电荷的变化。这种现象称为 热释电效应 。 ● 热释电探测器由热