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（二）模拟电子技术部分 1 半导体器件 (讲课 4 学时，共 2 次课 ) 课题名称 第 1 次课：二极管和稳压管 （章节题目） 教学目的 1、 了解二极管和稳压管的结构、工作原理 ; 2、 掌握特性曲线、主要参数和应用 ; 和 要 求 3、 理解 PN 结的单向导电性。 教学重点 重点：掌握主要特性、主要参数的含义，掌握各元件的应用。 和 难 点 难点： PN 结的单向导电性。 教学方式 多媒体或胶片投影或传统方法 一、复习提问、导入新课 回顾接触过的半导体知识 二、讲授新课 1、半导体的导电特性 2、半导体二极管 教 三、 总结 本次课应着重掌握和理解以下几个问题： 学 1、半导体的导电性受外界条件的影响特别是温度和光照， 利用这些特点可以制造许多元件，但是也给半导体器件工作 过 的稳定带来影响。 2、PN 结具有单向导电性，加正向电压导通可以通过很大的 正向电流。加反向电压截止仅有很小的反向电流通过。 程 1 / 8 9.1 半导体的导电特性 1、物质按导电性分类： 1）导体：金属 2）绝缘体：橡胶、塑料、陶瓷等 3）半导体：硅、锗、一些流化物、氧化物 2、载流子 1）自由电子 2）空穴 3、本征半导体（纯净 99.99999% ） （1）将元素的原子排列整齐时的结构（单晶体与多晶体） （2）原子核外层的电子：价电子决定化学性质（ Si +4 价、 Ge +4 价） （3）稳定时共价健中的价电子不能成为自由电子，受外界激发（光照、加热） ①挣脱束缚：形成自由电子并在原共价键中留下空位（即空穴） ②填补空位：自由电子与穴同时消失（即复合） 4、掺杂半导体 1）硅（锗）晶体内掺入少量的五价元素（磷、锑）①多子（主要导电的载粒子） ：自由电子②少子：空穴（热激发形成） 主要导电方式取决于多子，称电子型或N 型半导体 2）硅（锗）晶体内掺入少量的三价元素（硼、铝）①多子：空穴②少子：自由电子（热激发形成） 导电方式取决于多子（空穴）称空穴型或P 型半导体 5、半导体特性 1）热敏性：温度敏感元件（热敏电阻） 2）光敏性：光敏元件（光敏电阻、二极管、三极管、电池） 3）掺杂性 6、 PN 结及单向导电性 1） PN 结的形成 ①扩散 ②漂移 ③动态平衡 （2）单向导电性 ①PN 结加正向电压（正偏置） 高电位端 P 区 低电位端 N 区 E 外 与 E 内 方向相反，削弱内电场，空间电 荷区变薄，多子的扩散加强，形成扩散电 流（ I 正 ）； E 外越大， I 正越大（ PN结导通， 呈低阻状态）。 ②PN结加反向电压（反偏置） 高位端 N 区 低位端 P 区 2 / 8 E 外与 E 内方向相同，增强内电场，空间电荷区变宽，少子的漂移运动加强，形成漂移电流 （I 反 ）。少子数量少且与温度有关，故 I 反 小且与温度有关而与 E 外 无关（ PN 结截止，呈高 阻状态） 9.2 半导体二极管 1、结构 1）点接触： PN 结面积小， 极间电容小， 小电流 （高频检波、 脉冲数字电路中的开头元件） 2）面接触： PN 结面积大，胡间电容大，电流大（整流） 2、符号 阳（ +） 阴（ - ） 3、伏安特性 = f （ U） 1）正向特性 ①死区电压 硅管： 0.5V 锗管： 0.1V ②工作电压（正向导通区） 硅管： 0.7V 锗管： 0.3V （2）反向特性 ①反向饱和电流 硅管：纳安级 锗管：微安级 因少子数量小，故 I 反小 但是： toc↑→少子↑→ I 反↑ ②反向击穿特性 齐纳击穿（可恢复） ：外强电场强行把共价健的电子拉出 雪崩击穿（可恢复） ：被拉出的电子撞击原子使自由电子增加↑热击穿（不可恢复） ：高速运动的电子热量增加→材料温度禁用 4、主要参数 1）大整流电流 I OM 2）反向工作峰值电压 URWM 3）反向峰值电流 I RM 5、应用 1）检波——把已调制好的高频信号中的低频信号取出 调制：低频信号使高频信号的幅度、频率等随之变化 2）整流——把交流变换成直流 3）钳位 4）限幅 例题分析： 如图所示电路， 输入端 A 的电位 UA＝ +3V，B点的电位 UB＝ 0V，电阻 R接电源电压为 -15V ，求输出端 F 的电位 UF。 【解】 因为 DA 和 DB为共阴极连接， A、B 两端为它们的阳极，因此 UA、 UB 中的高电位对应的管子将会优先导通。 3 / 8 由 UA＞ UB 可知， DA将会优先导通。如果 DA为硅二极管，其正向压降约为 0.7V ，则此时 UF＝ +3-0.7 ＝ +2.3V 。当 DA导通后， DB因承受反向电压而截止。 在此处， DA起的就是钳位作用， 把 F 端的电位钳置在 +2.3V；DB起隔离作用， 把输入端 B 和输出端 F 隔离开。