化学沉铜介绍报告.pptVIP

化学沉铜 工艺流程： 调整 ? 微蚀 ? 预浸 ? 催化 ? 加速 ?沉铜 0.0 * 调整（Conditioner) 目的：调整孔壁电性，利于对胶体钯的 吸附 工艺控制：温度45-55°C 时间4-8 min 0.0 * 微蚀（Micro Etch) 目的：1. 清洁板面 2. 板面形成粗糙结构,保证沉铜层 与基材铜的结合力. 反应原理:Cu+Na2S2O8 ?CuSO4+Na2SO4 工艺控制：温度25-35°C 时间1-3 min 0.0 * 预浸(Predip) 目的: 防止前工位处理对催化槽的污染 工艺控制：温度 常温 时间1-2 min 0.0 * 催化（Ｃatalyst） 目的：孔壁吸附沉铜反应所需的催化剂 　　　钯胶体（Ｐd[SnCL3]n -) 工艺控制：温度 40-45°C 时间 4-6 min 钯胶体的水解：Ｐd（SnCL３）－＋Ｈ２Ｏ?Ｐd+Sn(OH)2+ Sn(OH)4+CL- 0.0 * 加速（Ａccelerator) 目的：将钯Ｐd周围的Ｓn沉积物除去 工艺控制：温度2０-3０°C