化学气相沉积归纳.pptVIP

一、化学气相沉积的原理 化学气相沉积反应的物质源 1、气态物质源 如H2、N2、CH4、O2、SiH4等。这种物质源对CVD工艺技术最为方便 ，涂层设备系统比较简单，对获得高质量涂层成分和组织十分有利。 2、液态物质源 此物质源分两种：（1）该液态物质的蒸汽压在相当高的温度下也很低，必须加入另一种物质与之反应生成气态物质送入沉积室，才能参加沉积反应。(2)该液态物质源在室温或稍高一点的温度就能得到较高的蒸汽压，满足沉积工艺技术的要求。如：TiCl4、CH3CN、SiCl4、VCl4、BCl3。 3、固态物质源 如：AlCl3、NbCl5、TaCl5、ZrCl4、WCl6等。它们在较高温度下（几百度）才能升华出需要的蒸汽量，可用载气带入沉积室中。因为固态物质源的蒸汽压对温度十分敏感，对加热温度和载气量的控制精度十分严格，对涂层设备设计、制造提出了更高的要求。 0.0 * 一、化学气相沉积的原理 常见的反应类型 1、热分解 2、还原反应 3 氧化反应 4、歧化反应 5、合成或置换反应 6、化学传输反应 0.0 * 一、化学气相沉积的原理 （1）热分解反应 气态氢化物、羰基化合物以及金属有机化合物与高温衬底表面接触，化合物高温分解或热分解沉积而形成薄膜。 SiH4 Si+2H2