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第八章光刻与刻蚀工艺
主讲:毛维
mwxidian@126.com
西安电子科技大学微电子学院
绪论
元刻:通过光化学反应,将光刻版(mask)上的图形
转移到光刻胶上
刻蚀:通过腐蚀,将光刻胶上图形完整地转移到Si片上
n光刻三要素:
①光刻机
②光刻版(掩膜版)
③光刻胶
ULS对光刻的要求:
高分辨率;高灵敏的光刻胶;
低缺陷;精密的套刻对准;
绪论
线宽
间隙
光刻胶
厚度
衬底
光刻胶三维图案
集成电路芯片的显微照片
绪论
4. DO
035m
Technology
025m
0181n
剂ce
6010
0.2um
130m
65【m
45n
Transistor
70n▲
\ 30nm
Physical Gate
50nm▲
sn▲
Length
20
001
19901995200020052010
Year
2006200820102012014
Tim
i-line 365nm
echnology nodes
50n
DUV 248nm
13000
DUV 193nm
F2 laser
EUV
Solidstate Technology June 1999
and SCALPEL研究
接触型光刻机
H
步进型光刻机
绪论
膜版与投影掩膜版
投影掩膜版( reticle)是一个石英版,它包含了
要在硅片上重复生成的图形。就像投影用的电影胶
片的底片一样。这种图形可能仅包含一个管芯,也
可能是几个。
光掩膜版〔 photomask)常被称为掩膜版(mask),
它包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完
整管芯阵列。
绪论
掩膜版的质量要求:
若每块掩膜版上图形成品率=90%,则
6块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)6=53%
10块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)10=35%
15块光刻版,其管芯图形成品率=(90%)15=21%
最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低
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