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半导体器件与工艺 双极型晶体管  双极型晶体管 晶体管的基本结构和分类 集电极 集电极 集电区 集电区 集电结 集电结 发射结 发射结 发射区 发射区 发射极 (a)NPN型三极管 (b)PNP型三极管 图31双极型三极管的结构和符号图  双极型晶体管 ■晶体管的制造工艺和杂质分布 In+Ga+Sb)球 P型再结晶区 N型再结晶区 N型预扩层 N型第二扩散层 (b)杂质分布 图33合金扩散管结构及杂质分布  双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 型扩散层 P型再结晶区 图34台面管结构  双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 P a)结构 b)杂质分布 图35平面管结构及杂质分布  双极型晶体管 ■晶体管的电流放大原理 假设条件 ①发射区与集电区宽度远大于少子扩散长度,基区宽度远小于少 子扩散长度 ②发射区与集电区电阻率足够低,外加电压全部降落在势垒区 势垒区外无电场。 ③发射结和集电结空间电荷区宽度远小于少子扩散长度,且不存 在载流子的产生与复合。 ④各区杂质均匀分布,不考虑表面的影响,且载流子仅做一维传 ⑤小注入,即注入的非平衡少子浓度远小于多子浓度 ⑥发射结和集电结为理想突变结,且面积相等  双极型晶体管 非平衡晶体管的能带和载流子的分布 w才 非平衡晶体管的能