同济大学2011-2012电工学下(电子技术)期末复习题.docVIP

PAGE / NUMPAGES 电工学（下）练习题 填空题。 在本征半导体中掺入微量的 价元素，可形成P型半导体，其多数载流子是_________，少数载流子是_________。 半导体三极管是 型控制器件，其工作在放大区的外部条件是 、 。 RC桥式正弦波振荡电路的振荡频率为 ，在稳定振荡时RF和R1的关系是 。 TTL与非门多余输入端的处理： 、 和 。 选择题。 1．一个NPN型三极管，三个电极对“地”的电位分别为：VC=2.3V, VB=2.7V,VE=2V, 则该三极管工作在（ ）。 A) 饱和区 B) 截止区 C) 放大区 D) 击穿区 2．由NPN型管构成的基本共射放大电路，当输入电压Ui为正弦波时输出Uo的波形图如下图所示，则该电路产生了（ ）。 A)饱和失真 B)截止失真 C) 线性失真 D) 非线性失真 3．下列数据中数值最大的数据是( ) A）（12）16 B）（21）8 C）（10101）2 D）（20）10 4. 下列器件中属于时序逻辑