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第一章 半导体器件基础 1.1 半导体的基本知识 PN结的单向导电性: 1.2 半导体二极管 1.图解分析法： 2.等效电路（模型）分析法 1.3 双极型三极管 一.BJT的结构 二． BJT的内部工作原理（NPN管） 2．电流分配关系 1.三极管的发射结和集电结均正向偏置； 2.三极管的电流放大能力下降， 通常有ICβIB； （三）极限参数 3.反向击穿电压: 五、三极管的模型及分析方法 ※半导体三极管的型号 第二章 基本放大电路 放大电路中的符号 3. 总瞬时值：字母小写，下标大写，如： 一.放大电路的主要技术指标 二、单管共射放大电路的组成、工作原理 ★组成放大电路的原则： 型 号 8050（NPN） 8550（PNP） 2N5401 2N5550 2N5551 2SC945 2SC1815 2SC965 2N5400 UCBO/V 40 40 UCEO/V 25 25 150 140 160 50 50 20 120 ICM/A 1.5 1.5 0.6 0.6 0.6 0.1 0.15 5 0.6 PCM/W 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 0.25 0.4 0.75 1.0 hFE 85～300 60～300 60 60 80 90～600 70～700 180～600 40 ?T/MHz