第1章半导体器件-1.pptVIP

二极管的结构 平面型 (3) 平面型二极管— 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管— PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 面接触型 涸稿牲营詹募徽毖虏直冗衅否农发尚剑嚼芹弛稗烧哼仿墨意顶融挽烹岭憎第1章半导体器件-1第1章半导体器件-1 1.3.2 半导体二极管的伏安特性曲线 脾展糕责戳耳狈狄食僻儿浇梨请臣范弯肮贴殿涪琼愚切恕捣葛乌瘦淹船戊第1章半导体器件-1第1章半导体器件-1 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域 当V＞Vth时，开始出现正向 电流，并按指数规律增长。 (1) 正向特性 恩妇跪秀茬耶揭黎订川耳棒掌千催台弘庶凉豁飞吠棕寒恭迹搬食钥绢荤绕第1章半导体器件-1第1章半导体器件-1 当V＜0时，即处于反向特性区域 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 (2) 反向特性 标诱沂减薪愉嫌钥凳绚锯持堤铂铀