存储器与总线实验.pptVIP

C,B,A:表示数据通道选通控制信号： A9,A8:表示片选信号： 实验目的： 熟悉存储器和总线组成的硬件电路 实验步骤： 控制信号连接：位于实验装置右侧边缘的RAM片选端（/CE)、写/读线（WE)、地址锁存信号（LDAR）与位于实验装置左上方的控制信号（/CE 、WE、 LDAR)之间对应连接。位于实验装置左中方（C、B、A)与位于实验装置左上方的（C、B、A)对应连接。 实验步骤： 完成上述连接，仔细检查无误后方可进入本实验。 在闪动的“P.”状态下按动增址命令键，使LED显示器自左向右第一位显示提示符“H.”,表示本装置已进入手动单元实验状态。 实验步骤： 内部总线数据写入存储器 给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15，具体操作步骤如下： 实验步骤： 实验步骤： 读存储器的数据到总线上 依次读出第00、01、02、03、04单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。具体操作如下： 实验步骤： SRAM芯片 HM6116 大庆石油学院 现寒居押越喊察虐丫悄镊幂装滋呐俺林某屠樱敛根涪韭砸独缮域弛挡坡斡存储器与总线实验存储器与总线实验 控制信号的字符串定义： S3-S0: 表示运算器操作选择信号，以控制16种算术运算或罗晶晶运算的一种； S1,S0,M又是移位寄存器的控制