可编程序控制系统设计师培训包 电路与电子技术基础知识 C-03-O-O-电子元器件的基础知识.pptVIP

5．常用二极管 光电二极管 光电二极管是在反向电压作用才工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。 2.1.3.5 三极管 1．三极管的基本结构与符号 内部有两个PN结，且N型半导体和P型半导体交错排列形成三个区，分别称为发射区，基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极，基极和集电极，用符号e、b、c来表示。处在发射区和基区交界处的PN结称为发射结；处在基区和集电区交界处的PN结称为集电结。具有这种结构特性的器件称为三极管 2．三极管的放大作用 （1）三极管放大的内部条件 发射区很厚，掺杂浓度最高 基区很薄，掺杂浓度最小 集电区很厚，掺杂浓度比较高 （2）三极管放大的外部条件 发射结正偏 集电结反偏 在放大状态下有 或 同时三个电流关系满足： 3．三极管的伏安特性 晶体管的伏安特性曲线反映了晶体管的性能和各电极的电流和电压之间的关系，实际上是其内部特性的外部表现，是分析放大电路的重要依据。晶体管的特性曲线有输入特性和输出特性两部分。 输入特性 输出特性 4．三极管的主要参数 （1）共发射极电流放大系数 ①直流电流放大系数 ② 交流电流放大系数 （2）极间反向电流 ① 集电结反向饱和电流ICB