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MTK电路原理分析 MTK使用的是6229的BB芯片, Transceiver使用的是MT6140,PA为3159芯片 6229和6230的区别为 CAMERA的支持像数,6229支持200万像数,6230只 支持30万像数 6229和6226,6225等BB芯片的区别为6229内部多了一个DSP用于支持 EDGE,并且6229的主频为104MHZ,相对于传统的BB芯片52MHZ的主频处 理速度快了许多,所以6229不仅可以支持OTG, TVOUT,并且还支持W-Fl。 OTG只支持USB1.1版本,OTG的数据线规范要求不能大于20CM,如果过长 会对信号有较大的衰减和反射。 6229也使用的是32768KHZ的晶振产生时序电路基准信号。32.768kHz是 RTC(实时时钟)晶振,用32.768是因为32768是2的15次幂,可以很方便的 分频,很精确的得到一秒的计时。所有的RTC晶振一般都是32.768或是其倍 频。在手机电路中还有一主时钟,一般为13MHz或是其倍频。之所以选用 13M这样的时钟是为了与基站同步  MTK存储器 MTK和其他机种使用的 FLASH也是不同的。MTK采用混合储存器的 方式不同于以往的NOR+NAND存储器方式。 NOR+NAND存储器采用NOR来存储BOS代码,采用NAND存储代 码(操作系统和应用软件)和数据,易失性RAM被用来存储执行代码时 的变量和数据结构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来 执行存储在NAND中的操作系统和应用软件 混合存储器采用SRAM和NAND,采用NAND作为非易失性存储器, 所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从 NAND引导,不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR,因此可降低 总系统成本。它们还可以减少元器件数量,节省了电路板空间。但是, 这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需要主 机上有支持请求调页的先进操作系统。  MC电路 MIC Close to Baseband  M|C电路分析 MICBIASP和 MICBIASN为MC电路的正负两路偏置电压,一般为24V-27V左右的电压 C204,C205主要为滤除射频信号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电容 如果有Dcs1800MHZ的干扰可以使用12PF的电容,如果有WF124GHZ的干扰则使用 82PF的电容 C206主要是抑制共模信号 C201,c202为100NF电容,主要作用为隔直通交,防止直流电使PA饱和,产生信号偏移 主要滤除100Hz以下的电流。 B201,B202为磁珠,主要滤除高频部分的干扰 MC偏置电流流向为从MCB|ASP-M|CB|ASN,而不用公共的GND,主要是因为GND干 扰太大。 磁珠有很高的电阻率和磁导率,他等效于电阻和电感串联,但电阻值和电感值都随频率变 化。他比普通的电感有更好的高频滤波特性,在高频时呈现阻性,所以能在相当宽的 频率范围内保持较高的阻抗,从而提高调频滤波效果  MC内部结构 CI=HOpf C2=33PF RL=2.2K VS=2. 0V ·Mic有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转 换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化,最终都以电压变化的形式输出。所以 我们要Mc电路要采集的数据是Mic两端电压的变化 CP就是那颗能根据振动调整容值的电容,然后通过后面的场效应管放大信号,C1 C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。  耳机电路 :11 C222 TCON  VDD 2.8V VDD 00K 47K-190K上拉电阻,典 型值为75K 2-0.3V EINT BB 插入耳机时,A点断开,所以B点处于高电平,二极管截至,C处为高电平,所以 EINT为高电平。BB芯片判断耳机未插入。 当插入耳机时,由于耳机一般为64欧姆,32欧姆,或者16欧姆(MTK使用的为32欧姆) 相对于100K欧姆,分压仅为0.V左右,二极管导通,C处电压为0.1+0.2=0.3左右,EⅠNT值 为低电平,BB芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的,耳机插入还需 要满足下面另一个条件  MICBIOS MICBIOS XMIC ADC ADC 若满足1ADC1V,2.EIN为低电平。则表示耳机为插入 小十 Right Left mc gnd 若只插入一半,耳机上MIC的一截就会因为错位而接到手机的GND上,然后XMIC信号 直接连接GND,ADC则为低电平。虽然现在的耳机已经不需要