BJL131-107一种集成可变栅电阻栅极结构--初稿名师精编资料汇编.pdfVIP

本发明属于半导体场控自关断器技术领域， 公开了一种集成可变栅电阻 栅极结构 ,包括：栅极压焊点、栅极总线、有效多晶硅电阻 电阻以及 ，备用 10 多晶硅电阻以及测试压焊点；所述栅极总线环绕在所述栅极压焊点外围； 所述有效多晶硅电阻连接在所述栅极总线和所述栅极压焊点之间；所述备 用多晶硅电阻置于所述栅极总线和所述栅极压焊点之间，与所述栅极总线 相连；所述测试压焊点与所述栅极总线相连。本发明通过在栅极压焊点和 栅极总线之间 集成 连接多个多晶硅电阻实现栅极的保护，同时实现灵活的 15 栅极电阻调节。 1、一种集成可变栅电阻栅极结构 ,包括：栅极压焊点和栅极总线；其 特征在于，还包括：有效多晶硅电阻 电阻 以及备用多晶硅电阻；所述栅极 总线环绕在所述栅极压焊点外围；所述有效多晶硅电阻连接在所述栅极总 线和所述栅极压焊点之间；所述备用多晶硅电阻置于所述栅极总线和所述 5 栅极压焊点之间，与所述栅极总线相连。 2 、如权利要求 1 所述的集成可变栅电阻栅极结构，其特征在于：所述 有效多晶硅电阻的数量至少为两个。 3、如权利要求 2 所述的集成可变栅电阻栅极结构，其特征在于：所述 备用多晶硅电阻的数量至少为两个。 10 4 、如权利要求 1~3 任一项所述集成可变栅电阻栅极结构，其特征在 于：所述有效多晶硅电阻和备用多晶硅电阻均为方阻 。 5、如权利要求 4 所述的集成可变栅电阻栅极结构，其特征在于：所述 有效多晶硅电阻和备用多晶硅电阻的边长范围为 10um~200um 。 6、如权利要求 1 所述的集成可变栅电阻栅极结构，其特征在于，还包 15 括：测试压焊点；所述测试压焊点与所述栅极总线相连。 一种集成可变栅电阻栅极结构 技术领域 本发明涉及半导体场控自关断器技术领域，特别涉及一种集成可变栅 5 电阻栅极结构。 背景技术 IGBT 器件 (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管 )和 MOS(绝缘栅型场效应管 )组成的复合全控型电压驱动式 10 功率半导体器件 , 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的 优点。 GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大； MOSFET 驱动功率 很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。 IGBT 综合了以上两种器件 的优点，驱动功率小而饱和压降低。 非常适合应用于直流电压为 600V 及以上 的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域 15 IGBT 在使用时，需要配置栅级电阻。栅极电阻 Rg 有以下作用： 消除栅极振荡， 绝缘栅器件 (IGBT 、MOSFET) 的栅射（或栅源）极之间 是容性结构，栅极回路的寄生电感又是不可避免的，如果没有栅极电阻，那 栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡，因此必须串联一个 电阻加以迅速衰减； 20 转移驱动器的功率损耗，电容电感都是无功元件，如果没有栅极电阻， 驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上，使其温度上升很多； 调节功率开关器件的通断速度，栅极电阻小，开关器件通断快，开关损 耗小；反之则慢，同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和 电流变化率大