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IGBT 模块驱动及保护技术 引言 IGBT 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件。它既有 MOSFET 易驱动的特点，又具有功 率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于 MOSFET 与功率晶体管之间，可正常 工作于几十 kHz 频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT 是电压控制型器件， 在它的栅极 -发射极间施加十几 V 的直流电压， 只有 μA级的漏 电流流过，基本上不消耗功率。但 IGBT 的栅极 -发射极间存在着较大的寄生电容（几千至 上万 pF），在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数 A 的充放电电流， 才能满足开通和关断的动态要求，这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值电流。 IGBT 作为一种大功率的复合器件，存在着过流时可能发生锁定现象而造成损坏的问题。 在过流时如采用一般的速度封锁栅极电压， 过高的电流变化率会引起过电压， 为此需要采用软关断技术，因而掌握好 IGBT 的驱动和保护特性是十分必要的。 栅极特性 IGBT 的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般 只能达到 20～ 30V ，因此栅极击穿是 IGBT 失效的常见原因之一。 在应用中有时虽然保证了 栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压， 但栅极连线的寄生电感和栅极－集电极间的电容 耦合， 也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此。 通常采用绞线来传送驱动信号， 以减小寄 生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。 由于 IGBT 的栅极－发射极和栅极－集电极间存在着分布电容 Cge 和 Cgc，以及发射极驱 动电路中存在有分布电感 Le，这些分布参数的影响，使得 IGBT 的实际驱动波形与理想驱 动波形不完全相同， 并产生了不利于 IGBT 开通和关断的因素。 这可以用带续流二极管的电感负载电路（见图 1）得到验证。 (a)等 效 电 路 (b) 开 通 波 形 图 1 IGBT 开关等效电路和开通波形 在 t0 时刻，栅极驱动电压开始上升， 此时影响栅极电压 uge 上升斜率的主要因素只有 Rg 和 Cge，栅极电压上升较快。在 t1 时刻达到 IGBT 的栅极门槛值，集电极电流开始上升。从此时开始有 2 个原因导致 uge 波形偏离原有的轨迹。 首先， 发射极电路中的分布电感 Le 上的感应电压随着集电极电流 ic 的增加而加大， 从而削弱了栅极驱动电压， 并且降低了栅极－发射极间的 uge 的上升率，减缓了集电极电流的增长。 其次，另一个影响栅极驱动电路电压的因素是栅极－集电极电容 Cgc 的密勒效应。 t2 时 刻，集电极电流达到最大值，进而栅极－集电极间电容 Cgc 开始放电，在驱动电路中增加 了 Cgc 的容性电流，使得在驱动电路内阻抗上的压降增加，也削弱了栅极驱动电压。显然， 栅极驱动电路的阻抗越低，这种效应越弱，此效应一直维持到 t3 时刻， uce 降到零为止。它 的影响同样减缓了 IGBT 的开通过程。 在 t3 时刻后， ic 达到稳态值， 影响栅极电压 uge 的因素消失后， uge 以较快的上升率达到最大值。 由图 1 波形可看出，由于 Le 和 Cgc 的存在，在 IGBT 的实际运行中 uge 的上升速率减缓 了许多， 这种阻碍驱动电压上升的效应， 表现为对集电极电流上升及开通过程的阻碍。 为了 减缓此效应，应使 IGBT 模块的 Le 和 Cgc 及栅极驱动电路的内阻尽量小，以获得较快的开通速度。 IGBT 关断时的波形如图 2 所示。 t0 时刻栅极驱动电压开始下降， 在 t1 时刻达到刚能维持集电极正常工作电流的水平， IGBT 进入线性工作区， uce 开始上升，此时，栅极－集电极 间电容 Cgc 的密勒效应支配着 uce 的上升， 因 Cgc 耦合充电作用， uge 在 t1－ t2 期间基本不 变，在 t2 时刻 uge 和 ic 开始以栅极－发射极间固有阻抗所决定的速度下降，在 t3 时， uge 及 ic 均降为零，关断结束。 由图 2 可看出， 由于电容 Cgc 的存在， 使得 IGBT 的关断过程也延长了许多。 为了减小此影响，一方面应选择 Cgc 较小的 IGBT 器件；另一方面应减小驱动电路的内阻抗，使流入 Cgc 的充电电流增加，加快了 uce 的上升速度。 图2IGBT关断时的波形 在实际应用中， IGBT 的 uge 幅值也影响着饱和导通压降： uge 增加，饱和导通电压将减 小。由于饱和导通电压是 IGBT 发热的主要原因之一， 因此必须尽量减小。 通常 uge 为 15～ 18V ，若过高，容易造成栅极击穿。一般取 15V 。 IGBT 关断时给其栅极－发射极加一定的 负偏压有利于提高 I