国家标准-《硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换》-编制说明-讨论稿.docVIP

PAGE PAGE 2 国家标准《硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换 红外光谱法》（讨论稿）编制说明 一、工作简况 1、项目背景和立项意义 硅单晶是用高纯度的多晶硅在单晶炉内通过区熔或直拉的方式者拉制而成，用于制造半导体器件、太阳能电池等。在硅单晶中掺入微量III族元素（受主型杂质）或V族元素（施主型杂质）受主型杂质分别成为P型半导体或N型半导体。硅单晶的基本电学参数导电类型和电阻率取决于硅单晶中III、V族杂质的含量（受主杂质含量、施主杂质含量）。随着技术的不断进步，半导体及太阳能光伏对多晶硅的质量要求越来越高。多晶硅中的III、V族杂质含量（施主杂质含量、受主杂质含量）是影响多晶硅产品质量的重要技术指标，目前一般通过气氛区熔工艺将多晶硅拉制成单晶，再采用低温傅立叶变换红外光谱法（LTFT-IR）测定III、V族杂质含量。为确保硅晶体中的III、V族杂质含量的测量准确性，原有标准GB/T 24581-2009已经不能充分适应目前半导体及太阳能光伏产业的需要，有必要对原标准进行修订。 本标准修订将结合标准的实际使用情况对原标准的技术内容进行适当修改，同时增加多个实验室的测量精密度，使GB/T 24581更为完善，从而更好地满足半导体及太阳能光伏产业发展的需要。 2、任务来源 2020年3月，根据《国家标准化管理委员会关于下达2020年推荐性国家标准计划(修订)的通知》（国标委发[2020] 6号）的要求，由乐山市产品质量监督检验所负责《硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》，计划编号T-469，要求任务完成时间为2021年。 3、项目承担单位概况 乐山市产品质量监督检验所是四川省乐山市质量技术监督局直属质检技术机构，是依据《中华人民共和国标准化法》和《中华人民共和国产品质量法》设置的法定检验机构，于1989年按照《计量法》规定首次通过计量认证和实验室审查认可。该所现有实验室面积约23000平方米，拥有价值超过8000万元的检验检测设备600多台套，能开展1000多项产品、3340个技术参数的检测。 乐山市产品质量监督检验所所属国家硅产品质量监督检验中心（四川）现有工作人员10名，其中高级工程师4名，工程师2名，助理工程师3名；其中有多人长期从事半导体材料分析，具有丰富的半导体材料分析检测经验。中心有等离子质谱仪、等离子发射光谱仪、常温及低温傅立叶变换红外光谱仪等35台套大中型设备；所有测量设备定期维护和溯源检定，其能力符合开展半导体材料检验的资源配置的要求。乐山市产品质量监督检验所具备标准起草工作的实验条件和能力。 4、主要工作过程 任务下达后，为顺利完成该项工作，2020年4月乐山市产品质量监督检验所成立了专门的标准编制小组，明确了工作指导思想，制定了工作原则、任务分工和试验计划。 标准编制组通过收集、整理国内外相关技术资料，为标准修订提供技术参考和支撑。同时，组织专业技术人员进行测试方法的试验。在调研和试验工作的基础上，编制组拟定了该标准所涉及的适用范围、主要修订内容，于2020年5月完成本标准征求意见稿的编写工作。 标准征求意见稿于2020年5月发给14家相关单位征求意见，先后共收到回函3个，意见建议10条。标准编制小组对意见回函进行了认真讨论研究，于2020年9月完成讨论稿的编写工作。 二、标准编制原则和标准主要内容 1、编制依据 1) 本标准编制主要依据GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》、GB/T 20001.4-2015《标准编写规则 第4部分：试验方法标准》的原则进行起草。 2) 根据半导体及太阳能光伏材料生产的实际检测需求为主要依据对标准进行修订。标准规定的检测方法在同一实验室检测结果具有长期稳定性，不同实验室之间的检测结果具有一致性。标准能积极有效地规范硅单晶中III、V族杂质含量的分析方法，也能满足不同行业以及国内外进出口贸易市场对III、V族杂质含量的分析的需求。 2、确定标准主要内容的依据 本次标准主要根据产品的实际水平，结合原标准在使用过程中存在的问题进行修订，进一步完善硅单晶中III、V族杂质含量的测定的测试方法。 本标准与GB/T 24581-2009相比，主要有如下变动： 1）根据国家标准化管理委员会下达的项目名称将标准名称修订为《硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法》； 2）依据国家标准编制原则，删除第 1 章“目的”，将第 3 章“局限性”修改为第 5 章“干扰因素”，章条号顺延，删除第 16 章“偏差”，删除第 17 章“关键词”； 3）依据国家标准编制原则，用相应的国家标准代替规范性引用文件中的国外标准，将规范性引用文件“SEMI MF1723用区熔