模拟电路1笔试题名师优秀资料.pdfVIP

试卷五 一． 填空题（每题 2 分，共 20 分） ⒈二极管的伏安关系可近似表述为公式： 当工作频率过高时，二极管会失去单向导电特性，其原因是： ⒉在常温下，杂质半导体的参数载流子主要由 产生， 少数载流子由 产生。 ⒊利用二极管的 特性可以制成稳压管。利用 二极管在 偏置时的 电容效应可制成 变容二极管。 ⒋耗尽型场效应管在恒流区的平方律关系式为： 当 该 类 型 FET 的 沟 道 预 夹 断 时 ， 与 满 足 方 V GS V DS 才：