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PERC技术现状及未来展望答疑 1.氧化铝厚度对电性能的影响？PID、LeTID有没有影响？ 氧化铝厚度对PID、LeTID没有影响，如果做双面氧化铝对PID的影响比较大 2.ALD氧化铝如何解决绕镀 目前ALD分两种，以板式和管式为主。板式，硅片平铺在载板上，绕镀可以控制在0.5mm以内。管式，一种是单插双镀，两边同时镀膜解决绕镀问题，镀双面会有比较大的隐患，正面氧化铝与扩散PN结成反型，起负电场的作用，对PID有比较大影响，对于正负1500V击穿测试过不了；另一种双插单镀，以硅片背靠背形式插片解决， 3.双面氧化铝对正面的影响 正面常规结构主要是氮化硅薄膜，浆料以烧穿氮化硅为主，如果有额外的氧化铝，表面负电场与PN结反型，对折射率是有益处，但对浆料的烧穿体系来说没有益处，另外再加上对PID的影响，对正面的影响比较大 4.氧化铝钝化在n型硅的前景 对于P型电池是背面钝化，对于N型，同样可以起到钝化效果，但是是正面钝化，ALD优势在镀膜质量高、均匀性好，可以做到更薄，N型量产电池厂家主要选ALD作氧化铝钝化。 5.双面氧化铝的话对浆料的要求 常规浆料以烧穿氮化硅为目的，对于氧化铝膜，需要在玻璃粉方面要作调整，刚开始调试阶段的主要问题是拉力不足，没有烧穿氧化铝，没有与硅片形成良好的欧姆接触 6.氧化铝沉积方式对Tma消耗的差异 沉积方式以PECVD和ALD为主，PECVD反应的膜厚要求高及TMA利用率低，ALD的耗量大约4mg/片，而PECVD的耗量则为ALD的两倍。 7.双面氧化铝改单面氧化铝存在的问题及解决办法 主要在管式ALD上改，主要问题在花篮的槽距，如果槽距过大反镀会比较严重，如果槽距过小则会有划伤情况，需要实际调整。 8.氧化铝设备单边发黑的处理 氧化铝边缘发黑，成膜均匀性在初期有些问题，或者自动化设备在上下料时有异常发生，正常生产是不会有单边发黑的情况。 9.单面PID解决办法？双面怎么保证双面PID 对于PID，正面以热氧为主，提升效率同时解决PID问题；背面使用渐进膜或类似生成氧化硅的薄膜来解决PID问题。双面PID与单面类似，正面以氧化退火为主，背面以氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象 10.碱抛机台提效方案。 碱抛可以提升效率，降低化学品耗量，减轻环保压力，带来1分钱/片收益，但提效对SE来说不够明显，还需优化， 11.退火温度与退火时间对氧化铝钝化性能的影响？氧化铝与氮化硅的氢钝化，哪个起主导作用？氢钝化机理、氢的传输过程是什么？ 以ALD来说，退火温度，膜越薄退火温度越高，主要由生成膜的质量和成膜特性决定，ALD与CVD对退火要求不同 ALD氧化铝退火机理，采用水作为氧源，含氢氧键，钝化表面悬挂键，降低界面态密度，大大增加固定负电荷的能力，起到场钝化的作用 12.ALD氧化铝的前驱体氧源是水和臭氧有什么区别 对效率没有影响，主要是工业对成本、稳定性、控制性方面的考虑，水更符合大规模应用 14.对PERC技术最大挑战的技术路线是什么？ 从技术讲HIT，IBC、TOPCon等比较有优势，但都不具备成本竞争力 15 perc电池如何叠加非晶硅技术，目前效率如何 目前没有PERC叠加非晶硅的技术，钙钛矿方面目前有新的进展 16.perc未来的提效方向在哪里 大规模生产，提高良率，降低成本 19.单面SE玛雅PERC产品低效片静置会出现气泡发黑，效率跳档严重，重烧后效率有所提升，EL有改善，但静置后会复原，如何改善 怀疑点：氧化铝厚度不均匀，局部异常导致，烧结过烧，光注入或电注入的条件需要优化 20.制绒良率提升，碱抛的优势 制绒良率的提升主要以添加剂为主，其次是设备控制精度，从早期的慢速制绒添加剂到现在的快速制绒添加剂；碱抛优势：背面较高反射率降低表面复合，提高少子寿命 21.?板P，管P，ALD，三种工艺制备的AlOx薄膜最适厚度区间各是多少，退火温度有没有区别，为什么？ 板P，由早期24nm降至15nm；管P，由12nm降至8nm；ALD，3-8nm。退火温度达不到，会造成片子整体发黑，效率降低导致降档 22.perc电池，氧化铝膜层在高温烧结时会出现小气泡，原理是什么，应该怎样解决？ 成膜时氢氧键过多，在反应时水过量，退火时氢氧散逸或退火不充分造成 23.通过酸背抛提高反射率到40%与碱背抛效率那個有优势 不管酸抛还是碱抛，反射率到40%效率差异不大，主要从化学品耗量考虑，如果用酸抛需要用到大量化学品，处理成本也高 24.双面电池目前在组件端，只有用POE封装才能通过抗PID测试，用EVA封装抗PID测试失效，如何解决双面电池抗PID问题？ 背面引入氧化硅薄膜配渐变膜来抑制PID现象，同时正面避免额外的氧化铝干扰 25.用maia和微导，理想等设备生产PERC电池和常规电池比增加背面工艺的成本分别是多少？