电子产品的生产与检验 3.2.2文档类（操作手册）10个 半导体三极管（BJT）基本知识.doc

半导体三极管（BJT）基本知识 半导体三极管通常用BJT表示，这里指的是双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），简称三极管。它是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于PN结之间相互影响，使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。 1、基本结构与符号 BECBECBECNN B E C B E C B E C N N P 基极 发射极 集电极 P N P 集电极 基极 发射极 B C E NPN型 PNP型 图1 三极管的基本结构和图形符号 图2 三极管常见外形 类型。三极管常见的外形如图2所示。 2、电流放大原理 2.1 三极管的工作状态 三极管在电路中工作时，它的两个PN结上的电压，可能是正向电压，也可能是反向电压。根据两个结上电压正反的不同，管内电流的流动与分配便有很大的不同，由此导致其性能上有显著的不同。为了分析研究的方便，根据电压的不同（正向或反向），如表1所示，将三极管的工作状态分为四类 表1 三极管的工作状态 序 号 工 作 状 态 发 射 结 （电 压） 集 电 结（电 压） 1 放大 正偏（正向） 反偏（反向） 2 截止 反偏（反向） 反偏（反向） 3 饱和 正偏（正向） 正偏（正向） 4 倒置 反偏（反向） 正偏（正向） 2．2电流放大原理 E EB RB B E C N N P EC 基区空穴向发射区的扩散较小可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 发射 IBE 复合和扩散 外加电源使发射结 正偏，集电结反偏。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 图3 三极管放大PN结 I IBn B E C N N P EB RB IE ICn 从基区扩散到集电结附近的电子在反向电压下被拉向集电极形成ICn。 IC=ICn+ICBO?ICn 收集 集电结反偏，有少子形成的反向饱和电流ICBO。 ICBO 图4 三极管放大电流 三极管电流放大的基本工作原理如图3和图4所示，三极管工作时电流分配如图5所示。三极管要具有电流放大作用，要满足如下条件： 内部条件：发射区多数载流子浓度很高；基区很薄，掺杂浓度很小； 集电区面积很大，掺杂浓度低于发射区。 外部条件：发射结加正向偏压（发射结正偏）；集电结加反向偏压（集电结反偏）。 I IBn ICBO B E C N N P EB RB EC IE ICn IC=ICn+ICBO ?ICn IB=IBn-ICBO?IBn IB IE=ICn+IBn ?IC+IB 图5 三极管电流分配 3、特性曲线 三极管的输入输出特性分别如图6和图7所示，硅管死区电压为0.5V，锗管死区电压为0.1V。硅管工作压降UBE为0.6~0.8V,锗管工作压降UBE为0.2~0.3V。 三极管工作分为三个区，饱和区，放大区和截止区。放大区满足IC=?IB称为线性区。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。当UCE?UBE,集电结正偏时，进入到饱和区，这时集电结的空间电荷区变窄，内电场减弱，集电结收集载流子的能力降低，IC不再随着IB作线性变化，出现发射极发射有余，而集电极收集不足现象,称为饱和区。此时，硅管UCE?0.3V（锗管0.1V)。 I IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE=0V UCE =0.5V UCE ?1V 图6 三极管输入特性曲线 I IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20? 40? 60? 80? 100? 图7 三极管输出特性曲线 输出特性三个区域的特点: (1)放大区：发射结正偏，集电结反偏。 NPN：UCUBUE ，PNP：UCUBUE，满足Ic =βIb (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 NPN：UBUE、UBUC， PNP：UBUE、UBUC βIBIcs =(Vcc-UCES)/RC UCE≈UCES=0.3V UCES---三极管临界饱和压降, Ic不再受Ib的控制 (3) 截止区： 发射结反偏，集电结反偏。 NPN：UBUE、UBUC，PNP：UBUE、UBUC IB=0， IC=ICEO ≈0 4、三极管的主要参数 4.1 电流放大系数β（或hfe）值 电流放大系数可分为直流电流放大系数 和交流电流放大系数β，由于两者十分接近，在实际工作中往往不作区分，手册中也只给出直流电流放大系数值。它们的定义是： =IC/IB β=ΔIC/ΔIB 对于小功率三极管，β值一般在20～200之间。严格地说，β值并不是一个不变的常数，测试时所取的工作