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发光二极管主要参数与特性 LED 是利用化合物材料制成 pn 结的光电器件。它具备 pn 结结型器件的电学特性： I-V 特性、 C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。 1、LED 电学特性 1.1 I-V 特性 表征 LED 芯片 pn 结制备性能主要参数。 LED 的 I-V 特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 I I F ′ V R 0 ′ 击 反向死区 工作区 V F V 穿 正向死区 区 I R 图 I-V 特性曲线  如左图： 正 向 死区：（图 oa 或 oa′段） a 点对于 V0 为 开 启 电 压，当 V ＜ Va，外加电 场 尚 克 服 不 少 因 载 流 子 扩 散 而形成势垒电场，此时 R 很大；开启电压对于不同 LED 其值不同， GaAs 为 1V ，红色 GaAsP 为 1.2V，GaP 为 1.8V，GaN 为 2.5V。 （2）正向工作区：电流 I F 与外加电压呈指数关系 IF = I S (e qV F/KT –1) -------------------------I S 为反向饱和电流 。 V＞0 时， V ＞VF 的正向工作区 I F 随 VF 指数上升 IF = IS e qV F/KT （3）反向死区 ：V＜0 时 pn 结加反偏压 V= - V R 时，反向漏电流 I R（ V= -5V ）时，GaP为 0V ，GaN 为 10uA。 （4）反向击穿区 V＜- V R ， VR 称为反向击穿电压； VR 电压对应 IR 为反向漏电流。当反向偏压一直增加使 V＜- V R 时，则出现 IR 突然增加而出现击穿现象。 由于所用化合物材料种类不同， 各种 LED 的反向击穿电压 VR 也不同。 1.2 C-V 特性 鉴于 LED 的芯片有 9×9mil (250 × 250um) ，10× 10mil ，11× 11mil (280 × 280um) ，12 × 12mil C (300× 300um) ，故 pn 结面积大 小不一，使其结电容（零偏压） 0 C≈n+pf 左右。 C C-V 特性呈二次函数关系 C0 ′ （如图 2）。由 1MH Z 交流信号用 C-V 特性测试仪测得。 V  1.3 最大允许功耗 PF m 当流过 LED 的电流为 IF 、 2 LED C-V特性曲线 管压降为 U F 则功率消耗为 P=U F× IF LED 工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升 高。若结温为 Tj 、外部环境温度为 Ta，则当 Tj ＞ Ta 时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量 （功率），可表示为 P = KT （ Tj –Ta）。 1.4 响应时间 响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。 现有几种显 LCD （液晶显示）约 10 -3 ~10-5S， CRT、 PDP、 LED 都达到 10-6 ~10-7S（ us 级）。 ① 响应时间从使用角度来看，就是 LED 点亮与熄灭所延迟的时间，即图中 tr 、 tf 。图中 t0 值 很小，可忽略。 I F ② 响应 时 间 主要取决于载 流子寿命、器 件的结电容及 电路阻抗。 LED 的点亮时 间——上升时 相对亮度 间 tr 是指接通 电源使发光亮 度达到正常的 10% 开始，一直 到发光亮度达 到 正 常 值 的 90% 所 经 历 的 时间。 LED 熄灭时间——下降时间 tf 是指正常发光减弱至原来的 10%所经历的时间。 不同材料制得的 LED 响应时间各不相同；如 GaAs 、 GaAsP 、 GaAlAs 其响应时间＜ 10-9 S， GaP 为 10-7 S。因此它们可用在 10~100MH Z 高频系统。 LED 光学特性 发光二极管有红外（非可见）与可见光两个系列， 前者可用辐射度，后者可用光度学来量度其光学特性。 2.1 发光法向光强及其角分布 I θ 2.1.1 发光强度（法向光强）是表征发光器件发光强弱的重要性能。 LED 大量应用要求是圆柱、 圆球封装，由于凸透镜的作用，故都具有很强指向性：位于法向方向光强最大， 其与水平面交角 90°。当偏离正法向不同θ角度，光强也随之变化。发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。 2.1.2 发光强度的角分布 I θ是描述 LED 发光在空间各个方向上光强分布。 它主要取决于封装的 工艺（包括支架、模粒头、环氧树脂中添加散射剂与否） ⑴ 为获得高指向性的角分布（如图 1） ① LED 管芯位置离模粒头远些； ② 使 用 圆 锥 状 （子弹头）的模粒 头； ③