igbt模块认证测试规范v2.0.pdf

测试部规范文件 测试部测试规范 规范编码： 本：V2.0 密 级：机 密 英威腾电气股份有限公司 测试部 生效日期：2011.3 页 数： 40 页 IGBT 模块认证测试规范 拟 制： 张 广 文 日 期： 2011-03-07 审 核： 姜 明 日 期：__________ 批 准： 董 瑞 勇 日 期：__________ 测试部规范文件 更 改 信 息 登 记 表 规范名称：IGBT 模块认证测试规范 规范编码： 版本 更改原因 更改说明 更改人 更改时间 新拟制测试项目，升级原测 V2.0 规范升级 张广文 2011.3.7 试项目内容及标准。 评审会签区： 人员 签名 意见 日期 董瑞勇 吴建安 唐益宏 林金良 张 波 第 2 页 共 41 页 测试部规范文件 目 录 第 3 页 共 41 页 测试部规范文件 IGBT 模块认证测试规范 1. 目的 检验 IGBT 模块各项性能指标是否满足标准和产品设计要求。本规范主要从 IGBT 结构、电气性能、可靠性等方面全面评估 IGBT 模块各项性能指标。 2. 范围 本规范规定的 IGBT 模块性能测试方法，适用于英威腾电气股份有限公司 IGBT 模 块器件选型认可及产品开发过程中 IGBT 模块单体性能测试。 3. 定义  绝缘栅双极型晶体管 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ：是由BJT(双极型三极 管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有 MOSFET 的高输入阻抗和GTR 的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载 流密度大，但驱动电流较大。MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降 大，载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。  IGBT 伏安特性：指以栅源电压 Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系 曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 控制，Ugs 越高，Id 越大。它与 GTR 的输 出特性相似，分为饱和区、放大区和击穿特性三部分。在截止状态下的IGBT ，正 向电压由J2 结承担，反向电压由 J1 结承担。如果无 N+缓冲区，则正反向阻断电 压可以做到同样水平，加入 N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因 此限制了 IGBT 的某些应用范围。  IGBT 转移特性：指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 第