二次击穿的考虑.docVIP

二次击穿的现象： 首先一次击穿和二次击穿均为定义半导体PN结耐压的特性 一次击穿是在半导体器件所加的反向电压刚刚超出正常工作电压使其穿透电流开始上升时的电压，这个电压不会造成器件的永久性损坏。只要外电路限制击穿后的电流，管子就不会损坏，待集电极电压减小到小于V(BR)CEO后，管子也就恢复到正常工作，因此这种击穿是可逆的，不是破坏性的。这种击穿为一次击穿。我们在测量半导体器件的反向击穿电压值时就是利用一次击穿原理测量的。 二次击穿：如果上述击穿后，电流不加限制，就会出现集电极电压迅速减小，集电极电流迅速增大的现象，通常将这种现象称为二次击穿。二次击穿是半导体器件所加的反向电压超出其本身所能够承受而致使PN极受损时的电压就叫二次击穿电压，击穿后会使器件造成永久性损。 发生二次击穿的原因： 产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。发生二次击穿的过程是：结面某些薄弱点上电流密度增大，引起这些局部点的温度升高，从而使局部点上电流密度更大，温度更高……，如此反复作用，最后导致过热点的晶体熔化，相应在集射极间形成低阻通道，导致vCE下降，iC剧增，结果是功率管尚未发烫就已损坏。因此二次击穿是不可逆的，是破坏性的。 二次击穿的产生和大功率晶体管的工作电流、电压、功耗、结温、电流脉宽等有关，但是，从通过的平均电流来看，并没有达到二次击穿的诱发值，可是还往往产生二次击穿，因此人们提出各种解释理论，主要有电流集中理论和雪崩注入理论。 电流集中理论：“电流集中理论”认为，二次击穿是由于大功率晶体管内部出现局部电流集中，使得局部功耗达到了诱发功率PSB，在电流集中处形成过热点，使该处产生热击穿或电流击穿的结果，该处熔融，管子永久性烧毁。电流局部集中的原因是大电流时发射极电流集边效应或夹紧效应，还有可能的材料、扩散工艺造成的不均匀性引起的。关键原因是开通晶体管时的集边效应和关断晶体管夹紧效应，它们使得局部集中处电流密度特别大，例如发生发射极电流集边效应时，发射区边缘电流密度是其中央电流密度的三倍。温度高于其他地方，并不容易散发出去，产生过热点，如使电流继续增加，会使过热点温度进一步提高，如此循环下去，其结果就会使该过热点处发生电流集中型二次击穿。 雪崩注入理论：当大功率晶体管基极开路或反偏条件下，若集电结电流的反向电压不断增加，空间电荷区电场强度不断增加，倍增因子M增加，IC就会趋向于无穷大，而产生一次击穿，此后IC进一步增加，当集电结电流密度继续增大到以临界值时，依照基区扩展理论，集电结空间电荷移向N-N+结，N-N+在强电场作用下发生雪崩注入，而导致二次击穿，这种二次击穿延迟时间极短。 提高大功率三极管二次击穿耐量的几种措施（考虑） 1.二次击穿的机理 ? 电流集中-形成热点-热点恶性循环-熔融-烧毁? 2.对二次击穿机理提出一点不同看法： 因为材料、工艺等造成结的一致性差，由于一致性差而形成过热点，导致二次击穿，这些似乎是偶然因素，但经研究，二次击穿的一些特性，这里似乎有一些必然的规律。 现象：1.双极型器件的二次击穿耐量低 2.MOS、JFET无二次击穿 3.IGBT无二次击穿 4.SCR无二次击穿 也就是说，非双极型器件不受二次击穿困扰（无电流集中） 问题：1.后三类器件在材料和工艺上对比双极型器件无特殊的地方， 为什么无二次击穿？ 2.既然是偶然因素造成的二次击穿，那么为什么任一双极型器件都可以用一个参数给出？（他们的二次击穿临界点所构成的是直线，用对数表示。三极管安全工作区（略）上面可以看出，PSB是一条直线，可以是某些参数的一个函数，这样它是有规律可循的，这就和之前有人提出的二次击穿纯是一些偶然的因素相矛盾。