微电子基本工艺专业课程设计.doc

微电子工艺课程设计 摘要 仿真（simulation）这一术语已不仅广泛出现在多种科技书书刊上，甚至已频繁出现于多种新闻媒体上。不一样书刊和字典对仿真这一术语定义性简释大同小异，以下3种最有代表性，仿真是一个系统或过程功效用另一系统或过程功效仿真表示； 用能适适用于计算机数学模型表示实际物理过程或系统；不一样试验对问题检验。 仿真（也即模拟）可信度和精度很大程度上基于建模（modeling）可信度和精度。建模和仿真（modeling and simulation）是研究自然科学、工程科学、人文科学和社会科学关键方法，是开发产品、制订决议关键手段。据不完全统计，现在，相关建模和仿真方面研究论文已占各类国际、中国专业学术会议总数10%以上，占了很可观份额。 集成电路仿真经过集成电路仿真器（simulator）实施。集成电路仿真器由计算机主机及输入、输出等外围设备（硬件）和相关仿真程序（软件）组成。按仿真内容不一样，集成电路仿真通常可分为：系统功效仿真、逻辑仿真、电路仿真、器件仿真及工艺仿真等不一样层次（level）仿真。其中工艺和器件仿真，国际上也常称作“集成电路工艺和器件计算机辅助设计”（Technology CAD of IC），简称“IC TCAD”。 综述 这次课程设计要求是：设计一个均匀掺杂pnp型双极晶体管，使T=346K时，β=173。VCEO=18V，VCBO=90V，晶体管工作于小注入条件下，最大集电极电流为IC=15mA。设计时应尽可能减小基区宽度调制效应影响。要求我们优异行相关计算，为工艺过程中量进行计算。然后经过Silvaco-TCAD进行模拟。 TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半导体工艺模拟和器件模拟工具，世界上商用TCAD工含有Silvaco企业Athena和Atlas，Synopsys企业TSupprem和Medici和ISE企业（已经被Synopsys企业收购）Dios和Dessis 和Crosslight Software企业Csuprem和APSYS。这次课程设计利用Silvaco-TCAD软件进行工艺模拟。经过具体工艺设计，最终使工艺产出PNP双极型晶体管满足所需要条件。 方案设计和分析 各区掺杂浓度及相关参数计算 对于击穿电压较高器件，在靠近雪崩击穿时，集电结空间电荷区已扩展至均匀掺杂外延层。所以，当集电结上偏置电压靠近击穿电压V时， 集电结可用突变结近似，对于Si器件击穿电压为， 集电区杂质浓度为： 因为BVCBO=90所以Nc=5.824*1015cm-3 通常晶体管各区浓度要满足NE>>NB>NC 设NB=10NC;NE=100NB则： Nc=5.824*1015cm-3；NB=5.824*1016cm-3；NE=5.824*1018cm-3 依据室温下载流子迁移率和掺杂浓度函数关系，得到少子迁移率： ；； 依据公式可得少子扩散系数： =0.03×1300=39 =0.03×330=9.9 =0.03×150=4.5 依据掺杂浓度和电阻率函数关系，可得到不一样杂质浓度对应电阻率： 依据少子寿命和掺杂浓度函数关系，可得到各区少子寿命： 依据公式得出少子扩散长度： =≈ =≈ =≈ 集电区厚度Wc选择 Wc最大值受串联电阻Rcs限制。增大集电区厚度会使串联电阻Rcs增加，饱和压降VCES增大，所以WC最大值受串联电阻限制。 综合考虑这两方面原因，故选择WC=8μm Wb：基区宽度最大值可按下式估量： 取为4 可得MAX≈4.31um 可得MIN≈0.381*10-4 因为，所以E-B耗尽区宽度（）可近视看作全部在基区内，又由，得到大多数C-B耗尽区宽度（）在集电区内。因为C-B结轻掺杂一侧掺杂浓度比E-B结轻掺杂一侧浓度低，所以＞。另外注意到是基区宽度，是基区中准中性基区宽度；也就是说，对于PNP晶体管，有：，所以基区宽度为，满足条件0.381um<<4.31um。 其中和分别是在N型区内E-B和C-B耗尽区宽度，在BJT分析中指就是准中性基区宽度。 扩散结深： 在晶体管电学参数中，击穿电压和结深关系最为亲密，它随结深变浅，曲率半径减小而降低，所以为了提升击穿电压，要求扩散结深部分。但其次，结深却又受条宽限制，因为基区积累电荷增加，基区渡越时间增加，有效特征频率就下降，所以，通常选择： 反射结结深为 集电结结深为 芯片厚度和质量 本设计选择是电阻率为 P型硅，晶向是<111>。硅片厚度关键由集电结深、集电区厚度、衬底反扩散层厚度决定。 基区相关参数计算过程 A、预扩散时间 PNP基区磷预扩散温度取1080℃，即1353K。 单位面积杂质浓度： 由上述