完整版单晶硅太阳电池工艺.pptVIP

P 型单晶硅太阳电池 工艺 joe 2 目录 ? Test wafers ? Texturing ? Cleaning before diffusion ? Diffusion ? Edge isolation and remove PSG ? PECVD ? Screen printing and firing ? SE solar cells introduce joe 3 来料检验 ? 现在有的电池生产公司会有这 道生产工序，因为优质硅片在市场上 常常处于“有价无市”的状态，缺货 严重，许多硅片制造商经常会用硅棒 的“头尾料”来以次充好，卖给下游 电池制造商，所以加上这道工序用来 检验硅片的质量。 ? 此道工序主要检验硅片的厚度、 少子寿命、表面平整度、是否有微裂 纹、电阻率、表面油污等，同时具有 插片功能，可将硅片插入 25 片一盒的 晶片盒中。我所知的设备供应商是韩 国的 fortix 公司。这种设备插片速度不 是很快，所以平时也只是用来做抽查 检验，大部分硅片还是手工插入晶片 盒流入下一工序。 joe 4 texturing 第二道工序是制 绒。为了提高单晶硅 太阳电池的光电转换 效率 , 工业生产中通 常采用碱与醇的混合 溶液对 (100) 晶面的 单晶硅片进行各向异 性腐蚀，在表面形成 类似“金字塔”状的 绒面结构（陷光结构 ） , 有效的增强了硅 片对入射太阳光的吸 收 , 从而提高光生电 流。 显微镜下的绒面结构图 joe 5 国内一般采用深圳捷佳创 in-line 制绒机。我所见的该厂家的制绒机 有单槽产 200 、 300 和 400 片三种， 制绒槽的材料有 PVC 树脂和不锈钢 两种。工艺条件视硅片表面质量而 定，以 200 片一槽不锈钢材质的设 备为例，硅片表面油污较少易于制 出绒面，碱浓度可在 0.8-1.2% 之间， 醇添加 6-10 升即可，硅酸钠 500 克。 反应时间 18-25 分钟，反应温度 80- 82 度。若表面较脏，工艺的变数就 很大了，反应时间一般是延长至 40 分钟，同时加大碱浓度，甚至在制 绒前采用高浓度碱液腐蚀的“粗抛” 工艺。由于受原材料影响较大，所 以制绒工艺很不稳定，需要很有经 验的工艺人员在场控制。 制绒工艺所用的化学辅料现在普遍是 NaOH, 异丙醇和硅酸钠。有个别公司不用硅酸钠。 texturing joe 6 扩散前清洗 ? 制绒后会进行扩散制结，在扩散前要进行 酸洗，洗去硅片表面附着的金属离子。主 要采用盐酸溶液，清洗机一般采用捷佳创 和北京七星华创的。清洗作业还要用到 HF 溶液，洗去硅片表面上的薄氧化层。硅片 经过两种酸液的清洗顺序没有严格要求， 一般是先经过 HCl ，再经过 HF 。 joe 7 diffusion joe 8 diffusion 扩散的主要目的是制作 PN 结，在掺硼的 P 型硅片上用三氯氧磷进行扩散。三氯 氧磷（磷源）呈液态，放在扩散炉后面，一般源温为 18-25 度，通过载气 N2 传进扩 散炉体。三氯氧磷与氧气在炉内反应生成磷扩散进硅片表面下 0.3-0.5um ，同时通 保护 N2 ，调节气流，保证扩散结的均匀性。 目前大多数厂商采用中电 48 所和北京七星华创的国产扩散炉，国产炉扩散的均 匀性不好，气流量大，炉口密封性不好，常有绿色的偏磷酸生成。国外 Centrotherm 公司生产的扩散炉也有少数公司采用，效果很好，缺点是编辑新扩散 工艺不方便，要求工艺人员会计算机编程语言才能编写工艺程序。 以下是我编写的一个扩散工艺 recipe, 采用了小气流量扩散工艺。 step Time Temperature N2 flow O2 flow source gas 1 loading 15 2 stability 860 10slm 3 oxidation 8min 860 15slm 2slm 4 first diffusion 15min 860 18 1 0.8slm 5 drive in 10 860