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第 3 章 不同集成度智能传感器系统介绍 时间系数的选择 : ( ) 6575L 6575H GND GND 5 160 GND 20 320 GND 40 480 80 640 t reset t start t D1 t D2 t D3 t C1 t C2 t C3 chip1 chip2 chip3 / s k ? 1 TS 0 TS DD V DD V DD V DD V 第 3 章 不同集成度智能传感器系统介绍 测试温度与延迟时间的关系： T （℃）＝ － 273.15K 温度传感器保持低电平的时间为 5 × T （μs）。 b ） DALLAS 公司产品， DS1820 技术指标： - 55℃～＋75℃，精度：0.5℃ 9 位温度读数，其中一位符号位， A/D 转换时间200μs，用户自定 义报警上下限。 64BitRom 结构： 8bitCRC ＋ 48bit 序列号 ＋ 8bit 工厂代码（ 10H ） ( ) / ) D x t s s k ? ? 时间系数（ 1 2 3 1 2 3 G N D D Q V D D 第 3 章 不同集成度智能传感器系统介绍 64 位 ROM 和单线 接口 电 源 检 测 存储器逻辑控制 存 储 器 温度传感器 高温触发 低温触发 8 位 CRC 触发器 第 3 章 不同集成度智能传感器系统介绍 测温原理：内部计数器对一个受温度影响的振荡器计数。在低温时振 荡器的脉冲可以通过门电路，而达到某一设置高温值时，振荡器的脉冲无 法通过门电路。计数器设置为－55℃时的初值。 正常工作步骤： 1 ）系统通过反复操作，搜索 DS1820 序列号； 2 ）启动所有在线 DS1820 作温度 A/D 变换； 3 ）逐个读出在线 DS1820 变换后的温度数据。 89c51 DS1820 DS1820 P 1.0 P 1.1 P 1.2 +5V … 第 3 章 不同集成度智能传感器系统介绍 § 3.2.2 初级形式的混合多片集成式 1 、 具有温度补偿功能的压阻全桥传感器 我们首先给大家介绍一下半导体力学量传感器中六种产生温漂的主要 原因。 i) 压阻系数随温度变化－对灵敏度温度漂移系数的影响； ii ）在腔体内存在残余气体－温度变化，引起气体体积的变化产生应力 iii ）桥路电阻的不等性（各电阻阻值不同、两支路电阻值不同），由 膜厚不均引起。 iv ）桥臂电阻的漏电流－桥臂电阻之间的绝缘度（表面电导、体电导） v ）在 或钝化膜－硅界面之间的热膨胀系数失配产生的应 力； vi ）装配应力的影响（选择温度系数相近的材料进行装配并注意配合、 选择好的粘合方式）。 2 SiO Si ? 第 3 章 不同集成度智能传感器系统介绍 a ）零位失调及零位温度漂移的补偿 i ）四桥臂电阻值已知，可寻取串联和并联附加电阻的方式，保证输出 电压表达式中分子为零； ii ）四桥臂电阻未知，零位失调电压已知，根据失调电压的正负，可在 确定的桥臂上也采取串并联的方式。 采用串联方式，串联电阻： iii ）零点温度漂移的补偿 主要是考虑桥臂电阻温度系数不一致性，一般是采用串联和并联的方 式，该串、并联电阻温度系数近似为零。计算方法书中有详细的介绍，这里 就不赘述了。 计算过程为：先根据已知的桥臂电阻的初始值和各自的温度系数计算出 1 3 2 4 1 2 3 4 0 ( )( ) R R R R R R R R U U ? ? ? ? 0 4 0 R S U R U ? ? 第 3 章 不同集成度智能传感器系统介绍 作业 5 试就四桥臂电阻未知，零位失调电压已知，根据失调电压 的正负，在确定的桥臂上采取并联方式，该并联电阻如何计 算？ 第 3 章 不同集成度智能传感器系统介绍 K 值： 然后根据下面公式： , 求出 、 （ ） , 将 串入 臂， 将 并入 臂。 iv) 半桥电路零点温度漂移补偿： 0, 并在 上； 0, 并在 上。 3 4 3 4 10 30 1 2 2 20 40 2 2 2 2 ( ) R R R R K ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 20 40 30 10 R R S R R K R ? ? 20 1 K P K R R ? ? S R P R P R 2 R U R t R 0 R r 1 2 2 1 1 2 2 1 ( ) 0 t t r r r t r t R R R R R R R R R ? ? ? 1 2 ( ) T T ? S R 1 R 0 R 0 R t R 0 R 0 R r R P S R R R R ?? ?? 20 10 ; 第 3 章 不同集成度智能传感器系统介绍 v ）热敏电阻补偿法：（有正