《化学气相沉积》.pptVIP

二、化学气相沉积的工艺方法 三、压力 压力影响反应器内热量、质量及动量传输，因此会影响反应效率、膜质量及膜厚度的均匀性。在常压水平反应室内，气体流动状态可以认为是层流；而在负压立式反应室内，由于气体扩散增强，反应生成物废气能够尽量排出，可获得组织致密、质量好的涂层，更适合大批量生产。 由于传统的CVD沉积温度大约在800℃以上，所以必须选择合适的基体材料。 例如大部分钢就不合适， 这是由于它们会发生固态相变以及引起尺寸变化。 另外由于钢和镀层热膨胀系数的差别，冷却时在界面上产生相当大的切向应力会使结合破坏。 此外钢表面与反应室气体的反应，可能会在界面形成不希望的相。如反应室气体一般为氢气和卤化物，沉积反应时产生的HCl会与表面反应产生有害化合物。 常用的基体包括： 各种难熔金属（钼常被采用）、 石英、 陶瓷、 硬质合金等， 它们在高温下不容易被反应气体侵蚀。 当沉积温度低于700℃时，也可以钢为基体，但对钢的表面必须进行保护，一般用电镀或化学镀的方法在表面沉积一薄层镍。 三、化学气相沉积的特点与应用 特点 （1）沉积物众多，它可以沉积金属、碳化物、氮化物、氧 化物和硼化物。 （2）可以在常压或低真空状态下工作镀膜的绕射性好形状复杂的工件或工件中的深孔、细孔都能均匀镀膜。 （3）涂层和基体结合牢固，经过CVD 法处理后的工件用在十分恶劣的加工条件