电子关键技术基础习题答案.docVIP

三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（ C ）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量（ A ）元素组成。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发觉其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（ C ）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判定。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处于（ A ）。 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管输入电流（ C ）。 A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判定。 8、正弦电流经过二极管整流后波形为（ C ）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 9、三极管超出（ C ）所表示极限参数时，肯定被损坏。 A、集电极最大许可电流ICM； B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C、集电极最大许可耗散功率PCM； D、管子电流放大倍数。 10、若使三极管含有电流放大能力，必需满足外部条件是（ C ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、基础放大电路中，经过晶体管信号有（C）。 A、直流成份； B、交流成份； C、交直流成份全部有。 2、基础放大电路中关键放大对象是（B）。 A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号全部有。 3、分压式偏置共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（B）。 A、截止失真； B、饱和失真； C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路反馈元件是（B）。 A、电阻RB； B、电阻RE； C、电阻RC。 5、功放首先考虑问题是（A）。 A、管子工作效率； B、不失真问题； C、管子极限参数。 6、电压放大电路首先需要考虑技术指标是（A）。 A、放大电路电压增益； B、不失真问题； C、管子工作效率。 7、射极输出器输出电阻小，说明该电路（A） A、带负载能力强； B、带负载能力差； C、减轻前级或信号源负荷。 8、功放电路易出现失真现象是（C）。 A、饱和失真； B、截止失真； C、交越失真。 9、基极电流iB数值较大时，易引发静态工作点Q靠近（B）。 A、截止区； B、饱和区； C、死区。 10、射极输出器是经典（C）。 A、电流串联负反馈； B、电压并联负反馈； C、电压串联负反馈。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、理想运放开环放大倍数Au0为（A），输入电阻为（A），输出电阻为（B）。 A、∞； B、0； C、不定。 2、国产集成运放有三种封闭形式，现在中国应用最多是（C）。 A、扁平式； B、圆壳式； C、双列直插式。 3、由运放组成电路中，工作在非线性状态电路是（C）。 A、反相放大器； B、差分放大器； C、电压比较器。 4、理想运放两个关键结论是（B）。 A、虚短和虚地； B、虚断和虚短； C、断路和短路。 5、集成运放通常分为两个工作区，它们分别是（B）。 A、正反馈和负反馈； B、线性和非线性； C、虚断和虚短。 6、（B）输入百分比运算电路反相输入端为虚地点。 A、同相； B、反相； C、双端。 7、集成运放线性应用存在（C）现象，非线性应用存在（B）现象。 A、虚地； B、虚断； C、虚断和虚短。 8、多种电压比较器输出状态只有（B）。 A、一个； B、两种； C、三种。 9、基础积分电路中电容器接在电路（C）。 A、反相输入端； B、同相输入端； C、反相端和输出端之间。 10、分析集成运放非线性应用电路时，不能使用概念是（B）。 A、虚地；