模电各章重点内容及总复习﹎.pdf

《模电》第一章重点掌握内容： 一、概念 1、 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。 2 、 半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 3 、 本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。 4 、 本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电 场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。 5 、 P 型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成 P 型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体， 空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。 6 、 N 型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成 N 型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体， 电子为多子、而空穴为少子。 7 、 PN 结具有单向导电性： P 接正、 N 接负时（称正偏） ，PN 结正向导通， P 接负、 N 接正时（称反偏） ，PN 结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。 8 、 二极管按材料分有硅管 (Si 管 )和锗管 (Ge 管 )，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。 9 、 二极管由一个 PN 结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏 时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压： Si 管约 0。5V ，Ge 管约为 0。 1 V ， 其死区电压： Si 管约 0.5V ，Ge 管约为 0.1 V 。 其导通压降： Si 管约 0.7V ，Ge 管约为 0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。 10、稳压管是工作在反向击穿状态的： ①加正向电压时，相当正向导通的二极管。 （压降为 0.7V ，） ②加反向电压时截止，相当断开。 ③加反向电压并击穿（即满足 U ﹥UZ ）时便稳压为 UZ 。 11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。 二、应用举例： （判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压 U0 。三极管复习完第二章再判） 参考答案： a、 因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。是硅管。 b 、二极管反偏截止。 f 、因 V 的阳极 电位比阴极电位高， 所以二极管正偏导通， （将二极管短路） 使输出电压为 U 0=3V 。G 、因 V1 正向电压为 10V ， 0 V2 正向电压 13V ，使 V2 先导通， （将V2 短路）使输出电压 U =3V ，而使 V1 反偏截止。 h 、同理，因 V1 正向电压 10V 、V2 正向电压为 7V ，所以 V1 先导通（将 V1 短路），输出电压 U0=0V ，使 V2 反偏截止。 （当输 入同时为 0V 或同时为 3V ，输出为多少，请同学自行分析。 ） 三、书 P31 习题： 1-3、 1-4、 1-6、 1-8、1-13、 1-16 1、 《模电》第二章重点掌握内容： 一、概念 1、 三极管由两个 PN 结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。 （参考P40 ） 三个区：发射区——掺杂浓度很高，其作用是向基区发射电子。 基区——掺杂浓度很低，其作用是控制发射区发射的电子。 集电区——掺杂浓度较高，但面积最大，其作用是收集发射区发射的电子。 两个结：集电区——基区形成的 PN 结。叫集电结。 （JC ） e 基区——发射区形成的 PN 结。叫发射结。 （J ） 三个极：从三个区引出的三个电极分别叫基极 B 、发射极 E 和集电极 C （或用 a、 b、c ）