第三章光催化剂半导体光催化课件.ppt

3.6 光催化剂 ;3.6.1 光催化设计的一般原则 ;;光催化设计的一般原则;光催化设计的一般原则;3.6.2 催化剂制备工艺;催化剂制备工艺;3.6.3 光催化剂Pt/TiO2中的能量关系，电荷转移及光催化活性的剖析 ; 按照表面态理论，沉积在TiO2表面的Pt相当于一个受主型表面态，它既能获取价带电子，又能捕获光生电子，因而在光催化反应中，不仅是一个电子束缚中心，还是一个H+的还原中心。这就是Pt/TiO2催化剂显示良好产氢活性的内在机制。当然，由于它本身的宽带隙（Eg=3.2 eV）缺陷，目前还难以体现它在太阳能应用方面的实用性价值。 ;3.7 宽禁带半导体的可见光敏化 ;3.7.1 利用有机染料作敏化剂 ;染料敏化纳晶半导体电极PEC电池的工作原理;光诱导染料分子与半导体间的电荷转移;光敏化剂（染料）;3.7.2 窄禁带半导体敏化剂 ; 窄禁带半导体敏化;3.7.3 杂质掺杂敏化剂 ; 杂质掺杂敏化;掺杂二氧化钛的能级示意图;3.8 半导体能带图的建立 ;3 8.1 半导体禁带宽度Eg的测量 ;光电流法测量Eg的装置如图所示： 1-光源，2-透镜，3-单色仪，4-半导体电极，5-对电极，6-微安表。 连续改变入射波长时，则可测得iph~λ关系曲线。 由光电流iph的临界波长λg可求得该半导体材料的禁带宽度Eg。 ;3.8.2 平带电位Vfb的测定 ; n型半导体和含有氧化还原对（ox/red）的溶液接触前后的能级示意图 (a)暗态接触前 (b)暗态接触后并达到平衡.;;能带弯曲可以通过外加电势E或入射光的强度来改变。;对于p型半导体，调节E往正方向变化，将使能带弯曲量减小；若调节E往负方向变化，将使能带弯曲量增大。 能带被拉平时的电极电势被称为平带电势Efb. ;当入射光的能量hv≥Eg时，半导体吸收光子，激发价带中的电子跃迁到导带，产生电子－空穴对，即光生载流子。 然后通过电场驱动的载流子迁移过程、浓度梯度场驱动的扩散过程、半导体表面态和内部陷阱引起的复合过程以及与溶液中的氧化还原对之间的电荷跃迁过程来输送或者消耗这些光生电子-空穴对。这些过程相互作用达到稳态，最终使得电子-空穴对的浓度分布仅为距半导体表面距离的函数。上述诸过程中，只有电荷跃迁过程才能引起流经辅助电极、并与外电路构成回路的电流，即光电流Iph.;n型半导体/溶液体系产生光电流的原理示意图;一般情况下，光照对少子影响较大，故n型半导体将产生阳极光电流，p型半导体将产生阴极光电流。;半导体和电解质溶解接触之后： (b)暗态; (c)光照下;半导体超微粒在电解质溶液中的悬浮体系的光电流产生的原理见左图。当光强一定的时候，光生电子-空穴对的浓度是一定的；如果微粒的EF与溶液中氧化还原对的Eredox匹配，则能有较大的光电转换效率。;PEC电池的双电层结构 ;平带电位Vfb的测定;以1/ ~U作图，当1/ =0时由截距则可求出平带电位 Vfb=U，其含义是由于外加电压的施加使半导体的带弯变为平直状态。 ;几种常见半导体的Vfb平带测量结果;开路光电压法测量Vfb的示意图;表3.5微分电容法和开路光电压法测量结果比较（n-InP）;3.8.3 半导体能带图的建立 ;半导体电极双电层模型;原料预处理;活性相担载;分解氧化;洗涤;干燥;高温处理;催化剂贮存