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SnSe单晶生长与性能研究 热电材料可以实现热能和电能的直接相互转换 , 在余热利用、便携式电动制 冷、深空卫星探测器电源等领域有实际的应用。 热电材料主要有半导体晶体、 化 合物及其材料 , 其中 Bisub2/subTesub3/sub 、PbTe、SiGe 是目前实际应 用的几种主要热电材料。 SnSe晶体是一种极具应用潜力的新型半导体热电材料。 SnSe具有正交晶系 , 层状结构 , 超低晶格热导率（ 0.23W/m· K,923K）, 是一种结构简单、环境友好、 化学性质稳定的层状半导体材料 , 成为国内外研究热点。 但是 ,SnSe 具有层状结构 , 容易解理 , 传统生长方法无法获得大尺寸、 高质量 的晶体 , 因此开展 SnSe单晶生长的系统研究非常重要。 本文采用水平布里奇曼法 生长了 SnSe单晶 , 获得尺寸为 35×15×15mmsup3/sup和 35× 20× 15mmsup3/sup的高质量 SnSe单晶 , 并分别加工了（ 400）、（020）、（002）等 多个方向的片状晶体。 利用自主研发的物理综合性质测量系统测试电导率和 Seebeck 系数 , 采用激 光导热仪测试热扩散系数 D、比热 Csubp/sub和热导率 κ , 利用热膨胀仪测试 热膨胀系数△ L/L, 利用维氏硬度仪、纳米压痕仪测试了 SnSe单晶的力学性能参 , 包括硬度、弹性模量等。研究结果表明 ,SnSe 的电导率和热导率具有明显的各向异性。 ZT 值从 300K升温至 520K,ZTsub（400）/sub 和 ZTsub⊥（400）/sub ZT 值缓慢增加接近各向同性 ,ZTsub（ 400）/sub 从 0.04 缓慢增加到 0.06,ZTsub ⊥（ 400）/sub 从 0.04 增加到 0.05 。当温度从 520K上升到 800K 时 ,ZTsub（400）/sub 和 ZTsub⊥（ 400）/sub 都达到最高值 , 分别为 1.1 和 0.24, 两个方向的 ZT 值差异明显增大。 随着温度的继续升高 ,ZTsub（400）/sub 和 ZTsub⊥（400）/sub 的 值快速下降  , 在 850K时分别达到  0.5 和  0.05,  表明从  Pnma到  Cmcm的相变对热电 性能的增长具有较大的影响。首次实验测得了  c 轴的负膨胀系数  -4.27%,  与文献 相吻合。 分别获得了（400）和（020）面的硬度和弹性模量 , 其数值介于 GaAs与 CdZnTe 之间。