反射波与透射波.ppt

第六章均匀平面波的反射与折射 前提:=常数,无源:p=0,有界:有反、折射 显然第六章是第五章内容的延伸,区别仅在于有无界面 61折、凤射波的基础知识 几个重要概念只有反射和折射 无限大平面光滑本章只讨论此种情况 界面 有限大曲面粗糙前沿学科探讨的问题 绕射散射漫反射 ☆入射面:入射射线与分界面法线构成的平面。 入射面 特点:入射面⊥分界面  设:i表示入射;r表示反射;t表示透折)射; 心入射角:入射射线与分界面法线夹角 G=0:垂直入射 G0:斜入射 电磁波垂直入射时,电场和磁场总是平行分界面的。 ◆斜入射时,电场或磁场可能与分界面不平行。 平行极化:E:的方向与入射面平行 线极化 入射方式 园极化 垂直极化:E;的方向与入射面垂直 椭圆极化 反射系数讠n 分界面 E 介质2 透射系数7E 介质1 E 入射角B 频率:ωω,=o,(∵媒质线性) 入射面 入射方向  矢量电场的一般表达式: E=E, e K r=eeEige r =Eio e, +Eion en e- E=Ee K, =eg, REoe K, T =Emove, +Erme, Te y r jK,r TE 赵 e, t E..le ik, r 波矢量 K1=k1 sin ee+k1cose2分界面21/k K,=k sin 0, -, cos e0:2 K.=k sin ee tk cos ee r=xe t ze 注:本章假定入射空间为理想介质 k  62均訇平面波对分界面的垂直入射 冷本节以入射波为z(e=e2方向的线极化波为例进行讨论 Ⅱ为理想导体(即:E2=H2=0) ①求解 1、选择如图所示坐标,且设ee1不失一般性),则:en=e 2、理想介质I内将存在入射波和反射波。 即:E1=E+日=eEcr+e,REr ∵垂直入射a=0∴K=ke2;Kr=-ke E 因此:Kr=k1z;K;r=k1z 入 ● er=er=e=e E eEe+、REc反 e,Eio(e /k+re k G1=0  5、由边值条件:E1=E2120=0则:1+R=0→R=1 6故k:E=cE(-ch)=c22kx 7、时域 E1=e:2√2 Eio sin k, z cos a 2/e,2 2Eo sin k,z sin ot s、:H=1e×E则:H=H+H1=1(x-c×E) 即H=cE(c+) 2E cOS K,Z 9、时城:H=c22E locoS k,z cost  ②传播特性: 令对任意时刻在k=或z=-n2(n=0,1,2,…) 处,其合成波电场皆为零 心对任意时刻t,在k7=-(2m+1),或z=-(2n+1)4(n=0,,2…) 处,其合成波磁场皆为零 E 1、合成波的性质 令合成波为纯驻波 ☆仍为TEM波 0 冷振幅随距离变化 心R=-1即有半波损失 电场和磁场最大值和最小值位置错开4 即H的相位超前E2 令电场和磁场原地振荡, 电、磁能量相互转化 而不进行能量传递。  2、导体表面的场和电流 比=nse2√2 E. Sink, sin ot=0 22 e, E cos k,. cos at E. cost 71 在理想导体表面的感应面电流为 22 2√2E J.=-e.×H E. cos ot cos ot n 3、合成波的平均能流密度 p=RelE x H]= re[-e j--Ea sin k,z cos k,]=0 这说明单位面积上没有有功率穿过,即不传递能量 dz 4、相速度vp=? 9=mt等相位9=mZ=0:Nm0 ∵是理想介质:∴Vp=V =0  二、Ⅱ为理想介质(G1=a2=0) ①求解 1、选择如图所示坐标,则:en=e2且设ee(不失一般性), 2、写出理想介质I内的入射波和反射波的一般表达式: 即:E1=E+E=e +e ree iKor 3、∵垂直入射∴K=ke2;K=ke2→K1r=k1z;Kr=kZ e=0 ∴e=eE=e=ex E 族2+eREe jkr 入 e k1+ re H 5、写出理想介质Ⅱ内E2的表达式 反← 同理:E=E,=已TE,c/2 H  6、由边值条件:E1=E20则:1+R=T(1) H=H+H E 7、∵H=-1xE则 71 72 即H=2E(k-Re)H2=e,Eme 71 8、由边值条件:H1=H220 则:1-R= T 72 R 0当n2n 9、联立解式(1)和(2 n+n20当n2n 2