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实用标准文档 半导体二极管及其应用电路 一 .半导体的基础知识 1.半导体 --- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 (如硅 Si、锗 Ge) 。 2.特性 --- 光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体 ---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子 ---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体 ---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体 的掺杂特性。 *P 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的三价元素 （多子是空穴，少子是电 子）。 *N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是 空穴）。 杂质半导体的特性 *载流子的浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻 --- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 PN 结 PN 结的单向导电性 --- 正偏导通，反偏截止。 PN 结的导通电压 --- 硅材料约为 0.6~0.8V ，锗材料约为 0.2~0.3V 。 PN 结的伏安特性 文案大全 实用标准文档 . 半导体二极管 单向导电性 ------ 正向导通，反向截止。 二极管伏安特性 ---- 同ＰＮ结。 正向导通压降 ------ 硅管 0.6~0.7V ，锗管 0.2~0.3V 。 死区电压 ------ 硅管 0.5V ，锗管 0.1V 。 3.分析方法 ------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : V 阳 V 阴( 正偏 )，二极管导通 (短路 ); V 阳 V 阴( 反偏 )，二极管截止 (开路 )。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 Q 。 等效电路法 直流等效电路法 总的解题手段 ---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 文案大全 实用标准文档 V 阳 V 阴 ( 正偏 )，二极管导通 (短路 ); V 阳 V 阴 ( 反偏 )，二极管截止 (开路 )。 三种模型 微变等效电路法 . 稳压二极管及其稳压电路 稳压二极管的特性 --- 正常工作时处在 PN 结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 文案大全 实用标准文档 三极管及其基本放大电路 一 . 三极管的结构、类型及特点 1.类型 --- 分为 NPN 和 PNP 两种。 2.特点 --- 基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二 . 三极管的工作原理 三极管的三种基本组态 三极管各极电流的分配 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 共射电路的特性曲线 文案大全 实用标准文档 输入特性曲线 --- 同二极管。 输出特性曲线 (饱和管压降，用 U CES 表示 放大区 --- 发射结正偏，集电结反偏。 截止区 --- 发射结反偏，集电结反偏。 饱和区 --- 发射结和集电结均正偏。 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 ICBO 、 ICEO 、 IC 以及 β均增加。三 . 低频小信号等效模型（简化） rbe --- 输出端交流短路时的输入电阻， β--- 输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用β表示； 四 . 基本放大电路组成及其原则 VT 、 VCC、 Rb 、 Rc 、C1、 C2 的作用。 2.组成原则 ---- 能放大、不失真、能传输。 五 . 放大电路的图解分析法 直流通路与静态分析 文案大全 实用标准文档 概念 --- 直流电流通的回路。 画法 --- 电容视为开路。 作用 --- 确定静态工作点 直流负载线 --- 由 VCC=I CRC+U CE 确定的直线。 *电路参数对静态工作点的影响 1）改变 Rb ：Q 点将沿直流负载线上下移动。 2）改变 Rc ：Q 点在 IBQ 所在的那条输出特性曲线上移动。 3）改变 VCC：直流负载线平移， Q 点发生移动。 交流通路与动态分析 概念 --- 交流电流流通的回路 画法 --- 电容视为短路 ,理想直流电压源视为短路。 作用 --- 分析信号被放大的过程。 * 交流负载线 --- 连接 Q 点和 V CC’点 V CC’ = UCEQ+ ICQR L’的 直线。 静态工作点与非线性失真 文案大全 实用标准文档 （ 1）截止失真 产生原因 --- Q 点设置过低 失真现象 ---NPN 管削顶， PNP 管削底。 消除方法 --- 减小 Rb ，提高 Q 。 （ 2） 饱和失真 产生原因 --- Q 点设置过高 失真现象 ---NPN 管削底， PNP 管削顶。 消除方法 --- 增大 Rb 、减小 Rc、增大 VCC 。 放大器的动态围 1） Uopp---