关于TiO复合的原理和掺杂的原理.docVIP

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  • 2020-11-03 发布于山东
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TiO2 复合 TiO 2 的复合一般可分为半导体复合,表面光敏化和贵金属沉积三种类型。复合作用能实现对 TiO 2 中光生电子 -空穴的分离,同时复合物也增加对可见光的吸收。 半导体复合 将 TiO 2 与其它能带结构不同的半导体进行复合,称为半导体复合。将 TiO2 与其它半导体复合,当两者 Eg 匹配时,可以有效促进 TiO2 和半导体化合物中 光生电子 -空穴的分离,如图 1-14 所示 [27] 。复合半导体又可分为宽带隙复合和 窄带隙复合,宽带隙复合是为了促使光催化剂的光生载流子的有效分离, 从而抑 制电子空穴的复合,提高光催化效率。窄带隙复合在抑制电子空穴复合的同时, 也可拓展光催化剂对光的响应,最终提高了光的利用效率 宽带隙复合是用与  TiO 2 的  Eg 相当的半导体对其进行修饰,两者的带隙可以 相同,但两者的导带价带的位置不能相同, 这样才能使电子和空穴存在于复合半 导体不同的相中。 窄带隙复合是指用 Eg 小于 TiO 2 的半导体对其进行修饰。 窄带隙复合可以有效扩展了光催化剂对光的响应, 同时也抑制了电子空穴的复合。 其 CdS 修饰 TiO 2 是最典型的例子 1-4 半导体 /TiO 2 复合体系载流子迁移示意图 [27] Fig. 1-4 Schematic diagram of the semiconductor/TiO 2 char

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