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Coolmos的选择与优势 　　电子发烧友网整理了网友针对Coolmos的选型及优势的一些谈论，方便大家参考。Coolmos的使用是一个趋势，因为普通MOS已经不能满足电源的实际需求。 　　稍稍谈下我的看法。 　　1、Coolmos的选型 一般我们选择一颗MOS 大致看以下几个参数 BV Id Rds Vth Qg Pd等。但是这几个参数，只有Qg和Id是交流参数，其他都是静态参数。而半导体这东西就是随温升变坏的。那动态参数，其实是变坏的。25度的电流是100A，也许125度的时候，电流只有50A，所以选型的时候要以高温下(老化房)的数据为准。那选好了电压、电流，剩下就是看Coolmos的损耗了。Coolmos露在表面的是Rdson 较低，只有平面管的1/3或者1/4，那MOS的导通损耗必然较之平面管要低不少。MOS的另外一个损耗，开关损耗其实往往更加占主导。开关损耗在MOS里最直接体现的数值是Trr。这也是Coolmos最核心的参数。从coolmos的发展来看 C3 C6 CP CFD CFD2 都是在Trr上下功夫(C6除外，他是C3的Cost down)。你是电源设计者，Trr的合理使用，你比我清楚。Coolmos在实际应用中，MOS前段的Rg驱动，一般对电阻要求会低很多。这也能降低损耗。举个例子，20N60C3 MOS前段的驱动电阻一般可做到15mohm以下，但是也不是越低越好，开关越高，EMI的问题就出来了。所以驱动电阻的选择要综合考虑，在EMI允许的情况下，尽量降低驱动电阻。 　　2.Coolmos是否需要采用散热措施。我只能说要看功率，举个例子，150W的LED电源上，你觉得可以不加散热嘛?15W的LED电源上，加散热装置，那有地方么?Coolmos，在应用端，解决了有的电源方案需要电子器件更小的体积，甚至是去掉散热片(如Iphone的充电器)，而大功率上看重Coolmos的还是他能降低损耗，所以散热片是一定要加的。 　　3.Coolmos目前在国内应用还是非常片面的，任重而道远。举个例子，在一个70W的笔记本适配器上，很多还是用的20A的平面管(或者是16A)，但是我们知道实际电路里的有效电流其实很小，用20A只是看重他的低内阻，降低损耗，降低温升。那现在很多工程师来Rreview这个方案的时候，脑子还是转不过弯来。如果使用Coolmos，他认为还需要16A的，那同等电流，价格肯定不可比的。其实呢，Coolmos 10A足够去替代了。开关损耗，Coolmos要较平面管低很多，内阻的话Coolmos的10A较之16A的平面也不会高多少，在高温下，基本内阻是一致的。(有机会发个实验数据，16A的平面管和10A的Coolmos在100度下，内阻是相差不多的---前提，带负载，体现开关损耗低的特点)，所以工程师要多了解Coolmos。 　　在中压MOS(100-150V)，英飞凌、ST、AO、FC均有超低导通电阻、超低损耗的MOS出现，如Opti3MOS(艾默生、华为都有大量使用，是未来的主导)、SDMOS等。 　　总之一句话：MOS在发展，损耗会越来越低。电源方案只会像更高效率和更小体积发展。 　　Coolmos的宗旨是追求：开关最低损耗。在Coolmos上，是通过P柱，形成更大的PN结，从而降低Rds。但是就如同你讲的，Coolmos，降低了Rds，所以他的EAS能力较之平面管要低，这也对电源设计者提出了更高的要求。但是我们都知道，能用得起Coolmos的电源，基本称之为高档电源，那方案的设计肯定是精益求精的。不是普桑上装了个上万的音响，而是宝马上都是原装配置。这就是差距。 coolmos之厂商谈 　　Infineon我个人认为是coolmos中性能的王者，德国人的做事严谨风格让你不得不相信他们的产品。同为法西斯，希特勒的本事绝对强于东条英机，但希特勒可能比东条英机更不容易合作，更死硬。但ST或者Toshiba如果是你说的一线品牌的话，你究竟有没有实际测试比较一下他们和NCE的性能差异，究竟谁好? 　　包括上面有朋友说的有的超结mosfet要通过加大驱动电阻来解决Qg和结电容的问题，主要是针对Toshiba之流的吧?如果把Infineon归入Toshiba一类就不客观了，NCE的实际测试性能比Toshiba和ST的要好，Qg的表现比Toshiba之流的要好。 　　Coolmos的Rds是正温度系数的东西，但Toshiba和ST的Rds标示的是25C是的参数，实际mosfet工作起来是25C还是125C?有测过除开Infineon的外ST和Toshiba之流的125C时候的实际Rds是否是他规格书中的参数吗?把Toshiba或者ST的所谓20N60的coolmos和NCE，Infineon的20N60拿来做一下对比测