低频电磁波的屏蔽.docxVIP

PAGE PAGE # 低频电磁波的屏蔽 一、前言 凡是有电源的地方、有用电设备的地方、几百米内有高压电线的地方、 几十米内有地下电缆的地方，甚至只有金属管道和金属梁架的地方，都可能 有高达数十以至数百毫高斯的低频电磁干扰。低频电磁干扰的强度变化常常 无规律可循，短时间内就会有相当大的上下波动；低频电磁干扰的来源往往 难以确定，这样就更增加了屏蔽设计的难度。 电磁液产生电路示意图丄心1?苗囚 电磁液产生电路示意图 丄心1?苗囚 *iU f-κ? 二、低频电磁屏蔽与其它屏蔽的差异比较 1、低频电磁场 根据电磁波传输的基本原理，在频率很低的时候良导体中的电磁波只存 在于导体表面有“趋肤效应”（波从表面进入导电媒质越深，场的幅度就越小, 能量就变得越小，这一效应就是趋肤效应）。 高频电路中，传导电流集中到导线表面附近的现象也有这样的问题又称 “集肤效应”。交变电流通过导体时，由于感应作用引起导体截面上电流分布 不均匀，愈近导体表面电流密度越大。这种“趋肤效应”使导体的有效电阻 增加。频率越高，趋肤效应越显著。当频率很高的电流通过导线时，可以认 为电流只在导线表面上很薄的一层中流过，这等效于导线的截面减小，电阻 增大。既然导线的中心部分几乎没有电流通过，就可以把这中心部分除去以 节约材料。因此，在高频电路中可以采用空心导线代替实心导线。此外，为 了削弱趋肤效应，在高频电路中也往往使用多股相互绝缘细导线编织成束来 代替同样截面积的粗导线，这种多股线束称为辫线。在工业应用方面，利用 趋肤效应可以对金属进行表面淬火。 ） 、磁滞损耗 （ 放在交变磁场中的铁磁体， 因磁滞现象而产生一些功率损耗，从而使铁磁体发热，这种损耗叫磁滞损耗。 铁磁材料在磁化过程中由磁滞现象引起的能量损耗。磁滞指铁磁材料的磁性 状态变化时，磁化强度滞后于磁场强度，它的磁通密度 B 与磁场强度 H 之间 呈现磁滞回线关系。经一次循环，每单位体积铁心中的磁滞损耗等于磁滞回 线的面积。这部分能量转化为热能，使设备升温，效率降低，这在交流电机 一类设备中是不希望的。软磁材料的磁滞回线狭窄，其磁滞损耗相对较小。 硅钢片因此而广泛应用于电机、 变压器、继电器等设备中。 ） 以及反射损耗 （ 反 射损耗是指由于屏蔽的内部反射导致的能量损耗的数量，他随着波阻和屏蔽 阻抗的比率而变化 ） 都很小，低频电磁波的能量基本由磁场能量构成。所以这 时我们所要屏蔽的应该是电磁波的磁场分量 （ 电磁屏蔽的原理是由金属屏蔽 体通过对电磁波的反射和吸收来屏蔽辐射干扰源的远区场，即同时屏蔽场源 所产生的电场和磁场分量。由于随着频率的增高，波长变得与屏蔽体上孔缝 的尺寸相当，从而导致屏蔽体的孔缝泄漏成为电磁屏蔽最关键的控制要素 ; 用 钢制机柜进行屏蔽时，由于能为所有连接面提供一条由一个面至另一个面的 高导电路径，所以电流仍保持在机箱外侧。这种导电路径是用特殊的衬垫和 在连接表面进行导电涂敷而建立的，导电路径的任何中断都将使屏蔽效能降 低，它取决于缝隙或孔洞尺寸与信号波长之间的关系。对于较低频率或较长 波长来说，如果只有一个小孔则不会明显降低屏蔽效能；对于高频或较短波 长来说，屏蔽效能的下降将是很剧烈的。 例如，屏蔽体上如果有一个直径为 15mm勺孔洞，对于10MHZ言号（波长 为30m来说，将仍然能提供60dB屏蔽效能，但对于IGHZ言号（波长为30mm 来说，若要保持同样的屏蔽效能，则孔径不能超过0.15mm直径为15mπt勺孔 对于IGHZ言号只能提供20dB衰减。 如果不止一个孔洞，而且孔距小于信号半波长时，屏蔽效能将进一步降 低。如果高频信号波长时，屏蔽效能将进一步降低。如果高频信号要求足够 勺衰减，则不应采用为了通风目勺勺孔洞。 屏蔽效能及其产生勺衰减与频率、源与屏蔽体勺距离、屏蔽体勺厚度以 及屏蔽材料等有关。由于增加了对 RFI/EMI 能量勺反射和吸收勺总和，使所 传输勺电磁能量减小。哪些材料能提供最好勺屏蔽效能是一个相当复杂勺问 题。很明显这种材料必须具有良好勺导导性，所以未处理过勺塑料是无用勺， 因为电磁波能直接通过它。当然，可以采用金属。然而，应当记住，不能只 考虑导电性，其理由就在于，电磁波不但有电场分量，还有磁场分量。要知 道高导磁率和高导电率同样重要，高导磁率勺意思就是磁力线勺高导通性。 钢是一种良导体，而磁导率勺量级也会令人满意。它也是相对廉价并能提供 很大机械强度勺材料，所以有理由利用钢材，廉价勺获得满意勺屏蔽效能。 应当注意，低频电磁波比高频电磁波有更高勺磁场分量。因此，对于非常低 勺干扰频率，屏蔽材料勺导磁率远比高频时更为重要。 ） 屏蔽低频（如工频）电磁干扰的基本原理是磁路并联旁路分流。通过使 用导磁材料（如低碳钢、硅钢等）提供磁旁路来降低屏蔽体内部的磁通