TFTLCD工艺流程大纲纲要.docxVIP

第二章 TFT 显示器的制造工艺流程和工艺环境要求 第一节 阵列段流程 一、主要工艺流程和工艺制程 （一）工艺流程 （二）工艺制程 1、成膜： PVD 、CVD 2、光刻：涂胶、图形曝光、显影 3、刻蚀：湿刻、干刻 4、脱膜 二、辅助工艺制程 1、清洗 2、打标及边缘曝光 3、AOI 4、Mic 、 Mac 观测 5、成膜性能检测（ RS meter、Pro） 6、O/S 电测 7、TEG 电测 8、阵列电测 9、激光修补 三、返工工艺流程 PR 返工 Film 返工 四、阵列段完整工艺流程 五、设备维护及工艺状态监控工艺流程 Dummy Glass的用途 Dummy Glass的流程 第二节 制盒段流程 取向及 PI 返工流程 制盒及 Spacer Spray返工流程 切割、电测、磨边 贴偏光片及脱泡、返工 第三节 模块段流程 激光切线、电测 COG 邦定、 FPC 邦定、电测 装配、电测 加电老化 包装出货 TFT 显示器的生产可以分成四个工序段： CF、 TFT、Cell 、Module。其相互关系见下图： CF Cell Module Array(TFT) 阵列段是从投入白玻璃基板，到基板上电气电路制作完成。具体见下 图： 成膜 重 塗布 复 曝光 現像 刻蚀 剥離  [Glass 基 [ 膜 [Glass 基 [PR [Mask [TFT基 CF 工序是从投入白玻璃基板，到黑矩阵、三基色及 ITO 制作完成。具体见下图： Cell 工序是从将 TFT 基板和 CF 基板作定向处理后对贴成盒，到切割成单粒后贴上片光片。具体见下图： ［TFT基 ［CF］ 液晶滴下 真空贴合 切割 [LCD Module 工序是从 LCD 屏开始到驱动电路制作完成，形成一个显示模块。具体示意图如下： [ ＬＣＤ 绑定 [ 驱动 IC] 装配 [ 连接电路 ] [保护板] [BLU］ [ 信号基板］ 検 査 [LCD Module] 在以下的各节中，我们将逐一介绍 TFT 、Cell、Module 的工艺制程。由于天马公司现在没有规划 CF 工厂，所以 CF 的工艺流程在此不作详细介绍。 第一节 阵列段流程 一、主要工艺流程和工艺制程 （一）工艺流程 上海天马采用背沟道刻蚀型（ BCE） TFT 显示象素的结构。具体结构见 下图： C Storage capacitor ITO pixel electrode Cros -section -C’ a-Si TFT C Select line Data line 对背沟道刻蚀型 TFT 结构的阵列面板，根据需要制作的膜层的先后顺序和各层膜间的相互关系，其主要工艺流程可以分为 5 个步骤（ 5 次光照）： 第一步 栅极（ Gate）及扫描线形成 具体包括： Gate层金属溅射成膜， Gate 光刻， Gate湿刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板 上形成扫描线和栅电极，即 Gate 电极。工艺完成后得到的图形见下图： C Cross- section CC ’ C 第二步 栅极绝缘层及非晶硅小岛（ Island）形成 具体包括： PECVD 三层连续成膜，小岛光刻，小岛干刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成 TFT 用非晶硅小岛。工艺完成后得到的图形见下图： C a-Si/n+ SiN C 第三步 源、漏电极（ S/D）、数据电极和沟道（ Channel）形成具体包括： S/D 金属层溅射成膜， S/D 光刻， S/D 湿刻，沟道干刻等工艺 制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在 玻璃基板上形成 TFT 的源、漏电极、沟道及数据线。到此， TFT 已制作完成。 工艺完成后得到的图形见下图： C C 第四步 保护绝缘层（ Passivition）及过孔（ Via ）形成 具体包括： PECVD 成膜，光刻，过孔干刻等工艺制程（各工艺制程的具 体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃基板上形成 TFT 道保护绝缘层及导通过孔。工艺完成后得到的图形见下图：  沟 C C 第五步 透明象素电极 ITO 的形成 具体包括： ITO 透明电极层的溅射成膜， ITO 光刻， ITO 湿刻等工艺制程（各工艺制程的具体介绍在随后的章节中给出）。经过这些工艺，最终在玻璃 基板上形成透明象素电极。至此，整个阵列工序制作完成。工艺完成后得到的图形见下图： C Storage capacitor ITO pixel electrode Cros-section -C’ a-Si TFT C Select line Data line 至此，整个阵列工序制作完成。简